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2SC5053

更新时间: 2024-11-20 22:52:43
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罗姆 - ROHM 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 49K
描述
Medium Power Transistor (-50V, -1A)

2SC5053 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.8
外壳连接:COLLECTOR最大集电极电流 (IC):1 A
集电极-发射极最大电压:50 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):82JESD-30 代码:R-PSSO-F3
JESD-609代码:e2元件数量:1
端子数量:3封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):2 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:YES
端子面层:Tin/Copper (Sn/Cu)端子形式:FLAT
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:10
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON

2SC5053 数据手册

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2SA1900  
2SC5053  
Transistors  

2SC5053 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
2SC5053T100Q ROHM

类似代替

Medium power transistor (50V, 1A)
BST50,115 NXP

功能相似

BST50; BST51; BST52 - NPN Darlington transistors SOT-89 3-Pin

与2SC5053相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SC5053_REV2008 ROHM

获取价格

Low saturation voltage, typically VCE(sat)=0.12V at IC/IB=500mA/50mA
2SC5053P ROHM

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Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
2SC5053Q ETC

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TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 1A I(C) | SC-62
2SC5053R ETC

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TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 1A I(C) | SC-62
2SC5053T100 ROHM

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Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, MPT3, 3 P
2SC5053T100/P ROHM

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1A, 50V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SC5053T100/PQ ROHM

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1A, 50V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SC5053T100/Q ROHM

获取价格

1A, 50V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SC5053T100P ROHM

获取价格

Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
2SC5053T100PQ ROHM

获取价格

Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon