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2SC5060_09

更新时间： 2024-11-21 06:19:27
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罗姆 - ROHM 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 166K
描述
Power transistor (90+-10V, 3A)

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2SC5060_09 数据手册

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Power transistor (9010V, 3A)  
2SC5060  
Features  
Dimensions (Unit : mm)  
1) Built-in zener diode between collector and base.  
2) Zener diode has low voltage dispersion.  
3) Strong protection against reverse power surges due to “L” loads.  
4) Darlington connection for high DC current gain.  
5) Built-in resistor between base and emitter.  
6) Built-in damper diode.  
2.5  
6.8  
0.65Max.  
0.5  
(
1
)
( ) ( )  
2 3  
Inner circuit  
2.54 2.54  
1.05  
Taping specifications  
(1) Emitter  
0.45  
C
ROHM : ATV  
B
(2) Collector  
(3) Base  
R1  
R2  
E
B : Base  
C : Collector  
E : Emitter  
R
R
1
2
3kΩ  
1kΩ  
Absolute maximum ratings (Ta=25C)  
Parameter  
Symbol  
Limits  
Unit  
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
90 10  
90 10  
6
V
V
V
I
C
1
2
1
150  
A(DC)  
A(Pulse)  
W
°C  
°C  
Collector current  
∗1  
∗2  
I
CP  
Collector power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature  
∗1 Single pulse Pw=10ms  
P
Tj  
Tstg  
C
−55 to +150  
∗2 Printed circuit board : 1.7 mm thick, collector copper plating at least 100mm2.  
Packaging specifications and hFE  
Type  
Package  
2SC5060  
ATV  
hFE  
M
Code  
TV2  
Basic ordering unit (pieces)  
2500  
Electrical characteristics (Ta=25C)  
Parameter  
Symbol  
Min.  
Typ.  
Max.  
Unit  
Conditions  
Collector-base breakdown voltage  
Collector-emitter breakdown voltage  
BVCBO  
BVCEO  
80  
80  
−
−
100  
100  
V
V
I
I
C
=50μA  
=1mA  
C
Emitter-base breakdown voltage  
Collector cutoff current  
Emitter cutoff current  
DC current transfer ratio  
Collector-emitter saturation voltage  
Base-emitter saturation voltage  
Transition frequency  
Output capacitance  
BVEBO  
6
−
−
−
−
−
−
−
−
10  
3
2500  
1.5  
2
−
−
−
−
V
μA  
mA  
−
V
V
MHz  
pF  
μs  
μs  
μs  
I
E
=5mA  
I
I
CBO  
EBO  
FE  
V
V
V
I
I
CB=70V  
EB=5V  
CE=3V, I =0.5A  
∗1  
h
1000  
C
V
V
CE(sat)  
BE(sat)  
−
−
−
−
−
−
−
C
/I  
B
=500mA/1mA  
=500mA/1mA  
∗1  
∗2  
−
C
/I  
B
f
T
80  
20  
0.2  
5
V
V
CB=5V, I  
CE=10V, I  
=0.8A, R  
B1= −IB2=8mA  
CC 40V  
E
=−0.1A, f=30MHz  
=0A, f=1MHz  
=50Ω  
Cob  
E
Turn-on time  
Storage time  
Fall time  
ton  
I
I
V
C
L
tstg  
tf  
0.6  
−
∗1 Measured using pulse current. ∗2 Transition frequency of the device.  
www.rohm.com  
2009.12 - Rev.B  
1/3  
c
○ 2009 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SC5060M ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 90V V(BR)CEO | 2A I(C) | SIP
2SC5060N ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 90V V(BR)CEO | 2A I(C) | SIP
2SC5060TV2/M ROHM

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 		1000mA, 100V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, ATV, 3 PIN
2SC5060TV2M ROHM

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 		BJT
2SC5060TV2N ROHM

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
2SC5060TV3 ROHM

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
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