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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> 2SC5060TV2M
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2SC5060TV2M

更新时间： 2024-11-20 23:20:23
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 晶体小信号双极晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 55K
描述
BJT

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2SC5060TV2M 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.67Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：1 A集电极-发射极最大电压：100 V
配置：DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR最小直流电流增益 (hFE)：1000
JESD-30 代码：R-PSIP-T3JESD-609代码：e1
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：1 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：TIN SILVER COPPER端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：10
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：80 MHz
Base Number Matches：1

2SC5060TV2M 数据手册

  
2SC5060  
Transistors  
Power transistor (90 10V, 3A)  
2SC5060  
!External dimensions (Units : mm)  
!Features  
1) Built-in zener diode between collector and base.  
2) Zener diode has low voltage dispersion.  
3) Strong protection against reverse power surges due to “L”  
loads.  
2.5  
6.8  
4) Darlington connection for high DC current gain.  
5) Built-in resistor between base and emitter.  
6) Built-in damper diode.  
0.65Max.  
0.5  
( )  
( ) ( )  
1
2 3  
2.54 2.54  
1.05  
Taping specifications  
(1) Emitter  
0.45  
!Equivalent circuit  
ROHM : ATV  
C
(2) Collector  
(3) Base  
B
R1  
R2  
E
B : Base  
C : Collector  
E : Emitter  
R
R
1
2
3kΩ  
1kΩ  
!Absolute maximum ratings (Ta=25°C)  
Parameter  
Collector-base voltage  
Symbol  
Limits  
Unit  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
90 10  
90 10  
6
V
V
V
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
I
C
1
2
1
A(DC)  
A(Pulse)  
W
°C  
°C  
Collector current  
∗1  
∗2  
I
CP  
Collector power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature  
∗1 Single pulse Pw=10ms  
PC  
Tj  
Tstg  
150  
−55~+150  
∗2 Printed circuit board : 1.7 mm thick, collector copper plating at least 100mm2.  
!Packaging specifications and hFE  
Type  
Package  
2SC5060  
ATV  
hFE  
Code  
M
TV2  
Basic ordering unit (pieces)  
2500  
!Electrical characteristics (Ta=25°C)  
Parameter  
Symbol  
Min.  
Typ.  
Max.  
Unit  
Conditions  
Collector-base breakdown voltage  
Collector-emitter breakdown voltage  
Collector cutoff current  
Emitter cutoff current  
DC current transfer ratio  
Collector-emitter saturation voltage  
Base-emitter saturation voltage  
Transition frequency  
Output capacitance  
Turn-on time  
Storage time  
Fall time  
BVCBO  
BVCEO  
80  
80  
−
−
−
−
−
−
−
−
80  
20  
0.2  
5
100  
100  
10  
3
2500  
1.5  
2
−
−
−
−
V
V
µA  
mA  
−
I
C
=50µA  
=1mA  
I
C
I
I
CBO  
EBO  
FE  
V
V
V
CB=70V  
EB=5V  
CE=3V, IC=0.5A  
/I  
−
∗1  
h
1000  
−
−
−
−
−
−
−
V
V
CE(sat)  
BE(sat)  
V
V
I
I
C
B
=500mA/1mA  
=500mA/1mA  
∗1  
∗2  
C
/I  
B
f
T
MHz  
pF  
µs  
µs  
µs  
V
CB=5V, I  
CE=10V, I  
=0.8A, R  
B1=−IB2=8mA  
CC 40V  
E
=−0.1A, f=30MHz  
=0A, f=1MHz  
=50Ω  
Cob  
V
E
t
on  
I
I
C
L
t
stg  
V
t
f
0.6  
−
∗1 Measured using pulse current. ∗2 Transition frequency of the device.  
1

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SC5060TV2N ROHM

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
2SC5060TV3 ROHM

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2SC5060TV3/M ROHM

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