2SC5060

更新时间： 2024-11-20 22:40:03

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罗姆 - ROHM		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
1页	55K
描述
Power transistor (90【10V, 3A)

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2SC5060 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.56	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	2 A	配置：	DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)：	1000	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	1 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	Base Number Matches：	1

2SC5060 数据手册

2SC5060

Transistors

Power transistor (90 10V, 3A)

2SC5060

!External dimensions (Units : mm)

!Features

1) Built-in zener diode between collector and base.

2) Zener diode has low voltage dispersion.

3) Strong protection against reverse power surges due to “L”

loads.

2.5

6.8

4) Darlington connection for high DC current gain.

5) Built-in resistor between base and emitter.

6) Built-in damper diode.

0.65Max.

0.5

( )

( ) ( )

2 3

2.54 2.54

1.05

Taping specifications

(1) Emitter

0.45

!Equivalent circuit

ROHM : ATV

(2) Collector

(3) Base

B : Base

C : Collector

E : Emitter

3kΩ

1kΩ

!Absolute maximum ratings (Ta=25°C)

Parameter

Collector-base voltage

Symbol

Limits

Unit

VCBO

VCEO

VEBO

90 10

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

A(DC)

A(Pulse)

°C

Collector current

∗1

∗2

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

∗1 Single pulse Pw=10ms

Tstg

150

−55~+150

∗2 Printed circuit board : 1.7 mm thick, collector copper plating at least 100mm².

!Packaging specifications and h^FE

Type

Package

2SC5060

ATV

h^FE

Code

TV2

Basic ordering unit (pieces)

2500

!Electrical characteristics (Ta=25°C)

Parameter

Symbol

Min.

Typ.

Max.

Unit

Conditions

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Collector cutoff current

Emitter cutoff current

DC current transfer ratio

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter saturation voltage

Transition frequency

Output capacitance

Turn-on time

Storage time

Fall time

BVCBO

BVCEO

−

0.2

100

2500

1.5

−

µA

−

=50µA

=1mA

CBO

EBO

CB=70V

EB=5V

CE=3V, IC=0.5A

−

∗1

1000

−

CE(sat)

BE(sat)

=500mA/1mA

∗1

∗2

MHz

µs

CB=5V, I

CE=10V, I

=0.8A, R

B1=−IB2=8mA

CC 40V

=−0.1A, f=30MHz

=0A, f=1MHz

=50Ω

Cob

stg

0.6

−

∗1 Measured using pulse current. ∗2 Transition frequency of the device.

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SC5060_09	ROHM	获取价格	Power transistor (90+-10V, 3A)
2SC5060M	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| NPN \| 90V V(BR)CEO \| 2A I(C) \| SIP
2SC5060N	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| NPN \| 90V V(BR)CEO \| 2A I(C) \| SIP
2SC5060TV2/M	ROHM	获取价格	1000mA, 100V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, ATV, 3 PIN
2SC5060TV2M	ROHM	获取价格	BJT
2SC5060TV2N	ROHM	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
2SC5060TV3	ROHM	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
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2SC5060TV3/N	ROHM	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
2SC5060TV4	ROHM	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,

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