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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> 2SC5053T100P
2SC5053T100P PDF预览

2SC5053T100P

更新时间： 2024-11-21 13:00:11
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 84K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon

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2SC5053T100P 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.84外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：1 A集电极-发射极最大电压：50 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：82
JESD-30 代码：R-PSSO-F3JESD-609代码：e2
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：NPN
功耗环境最大值：2 W认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：TIN COPPER
端子形式：FLAT端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：10晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：150 MHz
VCEsat-Max：0.4 VBase Number Matches：1

2SC5053T100P 数据手册

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2SC5053  
Transistors  
Medium power transistor (50V, 1A)  
2SC5053  
zFeatures  
zDimensions (Unit : mm)  
1) Low saturation voltage, typically VCE(sat)=0.12V at IC/  
IB=500mA/50mA  
MPT3  
2) PC=2W (on 40×40×0.7mm ceramic board)  
3) Complements the 2SA1900  
(1)Base  
(2)Collector  
(3)Emitter  
z Absolute maximum ratings (Ta=25°C)  
Parameter  
Symbol  
Limits  
Unit  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
60  
V
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter- base voltage  
50  
V
5
V
1
A
Collector current  
IC  
2
A (Pulse) ∗1  
0.5  
W
Collector power dissipation  
PC  
2
150  
W
°C  
°C  
∗2  
Collector power dissipation  
Storage temperature  
tj  
t
stg  
−55 to +150  
∗1 Single pulse Pw=100ms  
∗2 When mounted on a 40+ 40+ 0.7mm seramic board.  
zElectrical characteristics (Ta=25°C)  
Parameter  
Symbol  
Min.  
Typ.  
Max.  
Unit  
Conditions  
Collector-base breakdown voltage  
Collector-emitter breakdown voltage  
Emitter-base breakdown voltage  
Collector cutoff current  
BVCBO  
BVCEO  
60  
50  
5
−
−
−
−
−
−
−
150  
15  
−
−
−
0.1  
0.1  
0.4  
390  
−
V
V
I
I
I
C
C
=50µA  
=1mA  
V
E
=50µA  
CB=40V  
EB=4V  
BVEBO  
I
CBO  
EBO  
CE(sat)  
FE  
−
−
−
120  
−
µA  
µA  
V
V
V
Emitter cutoff current  
I
Collector-emitter saturation voltage  
DC current transfer ratio  
I
C
/I  
B
=500mA/50mA  
=3V/0.5A  
CE=5V , I =−50mA , f=100MHz  
CB=10V , I =0A , f=1MHz  
V
h
−
MHz  
pF  
V
V
V
CE/IC  
f
T
Transition frequency  
E
Output capacitance  
Cob  
−
−
E
zPackaging specifications and hFE  
Type  
Package  
hFE  
2SC5053  
MPT3  
QR  
∗
CG  
Marking  
Code  
T100  
1000  
Basic ordering unit (pleces)  
∗ Denotes  
hFE  
Rev.D  
1/2  
123

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与2SC5053T100P相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SC5053T100PQ ROHM

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
2SC5053T100Q ROHM

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 		Medium power transistor (50V, 1A)
2SC5053T100QR ROHM

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 		暂无描述
2SC5053T100R ROHM

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 		Medium power transistor (50V, 1A)
2SC5053T101 ROHM

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
2SC5053T101/P ROHM

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
2SC5053T101/PQ ROHM

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3
2SC5053T101/R ROHM

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
2SC5053T101P ROHM

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 		1000mA, 50V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC5053T101Q ROHM

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 		1000mA, 50V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR

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