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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SD1164-AZ | RENESAS |
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SILICON POWER TRANSISTOR |
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| 2SD1164K | ETC |
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BJT |
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| 2SD1164K-Z | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 60V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-252VAR |
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| 2SD1164L | ETC |
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BJT |
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| 2SD1164L-Z | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 60V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-252VAR |
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| 2SD1164M | ETC |
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BJT |
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| 2SD1164M-Z | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 60V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-252VAR |
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| 2SD1164-Z | NEC |
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NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR MP-3 |
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| 2SD1164-Z | RENESAS |
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SILICON POWER TRANSISTOR |
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| 2SD1164-Z-E1 | RENESAS |
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Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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