Datasheet > 2SD1164-Z-E1-AZ

2SD1164-Z-E1-AZ

更新时间： 2024-11-12 08:09:47

品牌	Logo	应用领域
瑞萨 - RENESAS		开关晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	1789K
描述
Bipolar Power Transistors, MP-3Z, /

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2SD1164-Z-E1-AZ 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Contact Manufacturer
零件包装代码：	MP-3Z	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.76	其他特性：	BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 0.05
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	2 A
集电极-发射极最大电压：	60 V	配置：	DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	2000	JEDEC-95代码：	TO-252
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	2 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SD1164-Z-E1-AZ 数据手册

Preliminary Data Sheet

R07DS0254EJ0400

Rev.4.00

2SD1164-Z

SILICON POWER TRANSISTOR

Feb 24, 2011

DESCRIPTION

The 2SD1164-Z is designed for Low Frequency Amplifier and Switching, especially in Hybrid Integrated Circuits.

FEATURES

•

High hFE = 2 000 to 30 000

<R>

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C)

CHARACTERISTICS

Collector to Base Voltage

SYMBOL

VCBO

VCEO

VEBO

IC(DC)

I^C(pulse)

P^T

RATINGS

UNIT

150

Collector to Emitter Voltage

Base to Emitter Voltage

8.0

Collector Current (DC)

Collector Current (pulse)^{Note 1}

Total Power Dissipation (TA = 25°C)^{Note 2}

Junction Temperature

2.0

°C

150

Storage Temperature

Tstg

−55 to +150

Notes 1. PW ≤ 10 ms, Duty Cycle ≤ 50%

2. When mounted on ceramic substrate of 7.5 cm²× 0.7 mm

The mark <R> shows major revised points.

The revised points can be easily searched by copying an "<R>" in the PDF file and specifying it in the "Find what:" field.

R07DS0254EJ0400 Rev.4.00

Feb 24, 2011

Page 1 of 4

12 3 4 5 6

中文翻译

下载PDF

与2SD1164-Z-E1-AZ相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SD1164-Z-E2	NEC	获取价格	Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 2
2SD1164-ZK-AZ	RENESAS	获取价格	暂无描述
2SD1164-ZK-E1	NEC	获取价格	2000mA, 60V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, MP-3, 3 PIN
2SD1164-ZK-E1	RENESAS	获取价格	2000mA, 60V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, MP-3, 3 PIN
2SD1164-ZK-E1-AZ	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,BJT,DARLINGTON,NPN,60V V(BR)CEO,2A I(C),TO-252
2SD1164-ZK-E2-AZ	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,BJT,DARLINGTON,NPN,60V V(BR)CEO,2A I(C),TO-252
2SD1164-ZL-AZ	RENESAS	获取价格	暂无描述
2SD1164-ZL-E1	RENESAS	获取价格	2000mA, 60V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, MP-3, 3 PIN
2SD1164-ZL-E1	NEC	获取价格	2000mA, 60V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, MP-3, 3 PIN
2SD1164-ZL-E1-AZ	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,BJT,DARLINGTON,NPN,60V V(BR)CEO,2A I(C),TO-252