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| 生命周期： | Active | 包装说明： | MP-3, 3 PIN |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.33 |
| 其他特性： | BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 50 | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 2 A | 集电极-发射极最大电压： | 60 V |
| 配置： | DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR | 最小直流电流增益 (hFE)： | 4000 |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SD1164-ZM-E1 | NEC |
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2000mA, 60V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, MP-3, 3 PIN |
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| 2SD1164-ZM-E1 | RENESAS |
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2000mA, 60V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, MP-3, 3 PIN |
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| 2SD1164-ZM-E2-AZ | RENESAS |
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TRANSISTOR,BJT,DARLINGTON,NPN,60V V(BR)CEO,2A I(C),TO-252 |
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| 2SD1164-Z-T1 | NEC |
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Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 |
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| 2SD1164-Z-T2 | NEC |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 |
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| 2SD1164-Z-T2K | NEC |
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Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 |
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| 2SD1164-Z-T2L | NEC |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 |
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| 2SD1164-Z-T2M | NEC |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 |
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| 2SD1165A | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 900V V(BR)CEO | 100A I(C) | DISC-6 |
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| 2SD1166 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 900V V(BR)CEO | 200A I(C) | DISC-67 |
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