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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.61 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 2 A | 配置： | DARLINGTON |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 2000 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 2 W |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2SD1164-ZM-E2-AZ | RENESAS | TRANSISTOR,BJT,DARLINGTON,NPN,60V V(BR)CEO,2A I(C),TO-252 |
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| 2SD1164-Z-T1 | NEC | Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 |
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| 2SD1164-Z-T2 | NEC | Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 |
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| 2SD1164-Z-T2K | NEC | Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 |
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| 2SD1164-Z-T2L | NEC | Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 |
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| 2SD1164-Z-T2M | NEC | Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 |
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