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2SD1176

更新时间: 2024-11-11 15:30:31
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 局域网晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 291K
描述
Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-220F, 3 PIN

2SD1176 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TO-220F包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数:3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99风险等级:5.92
外壳连接:ISOLATED最大集电极电流 (IC):8 A
集电极-发射极最大电压:60 V配置:DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE):1000JEDEC-95代码:TO-220AB
JESD-30 代码:R-PSFM-T3JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):45 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

2SD1176 数据手册

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