2SD1186

更新时间： 2024-11-11 07:31:19

品牌	Logo	应用领域
无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	38K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2SD1186 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.61
Is Samacsys：	N	Base Number Matches：	1

2SD1186 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2SD1185

DESCRIPTION

·With TO-3 package

·High breakdown voltage

·High speed switching

APPLICATIONS

·Power switching applications

PINNING(see Fig.2)

DESCRIPTION

Base

Emitter

Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol

Collector

Absolute maximum ratings(Ta=℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

UNIT

1200

Open base

800

Open collector

I_CM

Collector current-peak

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

P_C

T_C=25℃

℃

T_j

150

T_stg

-45~150

12 3

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