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| 生命周期： | Active | 包装说明： | TO-126M, 3 PIN |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.77 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 2 A | 集电极-发射极最大电压： | 32 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 180 |
| JEDEC-95代码： | TO-126 | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | NPN | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 100 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SD1189F/P | ROHM |
获取价格 |
2A, 32V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126FP, TO-126FP, 3 PIN |
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| 2SD1189F/PQ | ROHM |
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Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/ |
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| 2SD1189F/PR | ROHM |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/ |
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| 2SD1189F/Q | ROHM |
获取价格 |
2A, 32V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126FP, TO-126FP, 3 PIN |
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| 2SD1189F/QR | ROHM |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/ |
|
| 2SD1189F/R | ROHM |
获取价格 |
2A, 32V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126FP, TO-126FP, 3 PIN |
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| 2SD1189FP | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 32V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-126 |
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| 2SD1189FQ | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 32V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-126 |
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| 2SD1189FR | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 32V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-126 |
|
| 2SD1190 | SANYO |
获取价格 |
For Various Drivers |
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