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| 生命周期： | Active | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.74 |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 10 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 80 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 70 | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | NPN | 功耗环境最大值： | 80 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 80 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 10 MHz | VCEsat-Max： | 0.5 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SD1187Y | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 10 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power |
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| 2SD1187-Y | TOSHIBA |
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暂无描述 |
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| 2SD1189 | ROHM |
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2SD1189 |
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| 2SD1189F | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 32V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-126 |
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| 2SD1189F/P | ROHM |
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2A, 32V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126FP, TO-126FP, 3 PIN |
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| 2SD1189F/PQ | ROHM |
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Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/ |
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| 2SD1189F/PR | ROHM |
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Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/ |
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| 2SD1189F/Q | ROHM |
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2A, 32V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126FP, TO-126FP, 3 PIN |
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| 2SD1189F/QR | ROHM |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/ |
|
| 2SD1189F/R | ROHM |
获取价格 |
2A, 32V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126FP, TO-126FP, 3 PIN |
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