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| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | SFM |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.38 | 其他特性： | BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 0.03 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 5 A | 集电极-发射极最大电压： | 100 V |
| 配置： | DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR | 最小直流电流增益 (hFE)： | 1500 |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | NPN |
| 功耗环境最大值： | 35 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 20 MHz |
| VCEsat-Max： | 1.5 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SD1196 | SANYO |
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Driver Applications |
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| 2SD1196 | SAVANTIC |
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Silicon NPN Power Transistors |
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| 2SD1196 | ISC |
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Silicon NPN Power Transistors |
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| 2SD1196 | JMNIC |
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Silicon NPN Power Transistors |
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| 2SD1196_15 | JMNIC |
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Silicon NPN Power Transistors |
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| 2SD1196_2015 | JMNIC |
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Silicon NPN Power Transistors |
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| 2SD1197 | JMNIC |
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Silicon NPN Power Transistors |
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| 2SD1197 | ISC |
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Silicon NPN Power Transistors |
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| 2SD1197 | SANYO |
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Driver Applications |
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| 2SD1197 | SAVANTIC |
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Silicon NPN Power Transistors |
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