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2SD1199R

更新时间： 2024-02-17 06:20:15
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 晶体晶体管
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3页 52K
描述
TRANSISTOR | BJT | NPN | 40V V(BR)CEO | 50MA I(C) | SC-71

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2SD1199R 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.84Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：0.05 A集电极-发射极最大电压：40 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：1000
JESD-30 代码：R-PSIP-T3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.4 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：120 MHzBase Number Matches：1

2SD1199R 数据手册

 浏览型号2SD1199R的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SD1199R的Datasheet PDF文件第3页 
Transistor  
2SD1199  
Silicon NPN epitaxial planer type  
For low-frequency amplification  
Unit: mm  
6.9±0.1  
2.5±0.1  
1.5  
1.5 R0.9  
1.0  
Features  
High foward current transfer ratio hFE  
R0.9  
■
●
.
●
●
●
●
Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat)  
.
R0.7  
High emitter to base voltage VEBO  
.
Low noise voltage NV.  
M type package allowing easy automatic and manual insertion as  
well as stand-alone fixing to the printed circuit board.  
0.85  
0.55±0.1  
0.45±0.05  
3
2
1
Absolute Maximum Ratings (Ta=25˚C)  
■
Parameter  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
ICP  
Ratings  
Unit  
V
2.5  
2.5  
Collector to base voltage  
Collector to emitter voltage  
Emitter to base voltage  
Peak collector current  
Collector current  
50  
40  
V
1:Base  
15  
V
2:Collector  
3:Emitter  
EIAJ:SC–71  
M Type Mold Package  
100  
mA  
mA  
mW  
˚C  
IC  
50  
Collector power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature  
PC  
400  
Tj  
150  
Tstg  
–55 ~ +150  
˚C  
Electrical Characteristics (Ta=25˚C)  
■
Parameter  
Symbol  
ICBO  
Conditions  
min  
typ  
max  
100  
1
Unit  
nA  
µA  
V
V
CB = 20V, IE = 0  
VCE = 20V, IB = 0  
C = 10µA, IE = 0  
Collector cutoff current  
ICEO  
Collector to base voltage  
Collector to emitter voltage  
Emitter to base voltage  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
I
50  
40  
IC = 1mA, IB = 0  
V
IE = 10µA, IC = 0  
15  
V
*
Forward current transfer ratio  
hFE  
VCE = 10V, IC = 2mA  
IC = 10mA, IB = 1mA  
400  
2000  
0.2  
Collector to emitter saturation voltage VCE(sat)  
0.05  
120  
V
Transition frequency  
fT  
VCB = 10V, IE = –2mA, f = 200MHz  
VCE = 10V, IC = 1mA, GV = 80dB  
Rg = 100kΩ, Function = FLAT  
MHz  
Noise voltage  
NV  
80  
mV  
*hFE Rank classification  
Rank  
hFE  
R
S
T
400 ~ 800 600 ~ 1200 1000 ~ 2000  
1
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SD1199S ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 40V V(BR)CEO | 50MA I(C) | SC-71
2SD1199T ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 40V V(BR)CEO | 50MA I(C) | SC-71
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