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2SD1198AS

更新时间： 2024-01-28 08:34:30

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其他 - ETC		晶体晶体管
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3页	64K
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TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| NPN \| 50V V(BR)CEO \| 1A I(C) \| SC-71

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2SD1198AS 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	其他特性：	BUILT IN BIAS RESISTOR
最大集电极电流 (IC)：	1 A	集电极-发射极最大电压：	25 V
配置：	DARLINGTON WITH BUILT-IN RESISTOR	最小直流电流增益 (hFE)：	16000
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	1 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	150 MHz	Base Number Matches：	1

2SD1198AS 数据手册

Transistor

2SD1198, 2SD1198A

Silicon NPN epitaxial planer type darlington

Unit: mm

For low-frequency amplification

6.9±0.1

2.5±0.1

Features

■

1.5

1.5 R0.9

1.0

●

Forward current transfer ratio h_FEis designed high, which is ap-

R0.9

propriate to the driver circuit of motors and printer bammer: h_FE

= 4000 to 40000.

R0.7

●

A shunt resistor is omitted from the driver.

●

M type package allowing easy automatic and manual insertion as

0.85

well as stand-alone fixing to the printed circuit board.

0.55±0.1

0.45±0.05

Absolute Maximum Ratings (Ta=25˚C)

■

Parameter

Symbol

Ratings

Unit

Collector to

base voltage

Collector to

2SD1198

V_CBO

2SD1198A

2SD1198

2.5

V_CEO

emitter voltage 2SD1198A

Emitter to base voltage

Peak collector current

Collector current

1:Base

2:Collector

3:Emitter

EIAJ:SC–71

M Type Mold Package

V_EBO

I_CP

1.5

Internal Connection

I_C

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

P_C

˚C

T_j

150

T_stg

–55 ~ +150

Printed circuit board: Copper foil area of 1cm²or more, and the board

thickness of 1.7mm for the collector portion

≈200Ω

Electrical Characteristics (Ta=25˚C)

■

Parameter

Symbol

Conditions

V_CB= 25V, I_E= 0

min

typ

max

100

Unit

Collector cutoff

2SD1198

I_CBO

current

2SD1198A

V_CB= 45V, I_E= 0

V_EB= 4V, I_C= 0

Emitter cutoff current

Collector to base

voltage

I_EBO

2SD1198

V_CBO

I_C= 100µA, I_B= 0

2SD1198A

Collector to emitter 2SD1198

V_CEO

V_EBO

I_C= 1mA, I_B= 0

voltage

2SD1198A

Emitter to base voltage

I_E= 100µA, I_C= 0

Forward current transfer ratio

h_FE

V_CE= 10V, I_C= 1A^*2

I_C= 1A, I_B= 1mA^*2

4000

40000

1.8

Collector to emitter saturation voltage V_CE(sat)

Base to emitter saturation voltage V_BE(sat)

I_C= 1A, I_B= 1mA^*2

2.2

Transition frequency

f_T

V_CB= 10V, I_E= –50mA, f = 200MHz

150

MHz

^*2Pulse measurement

Rank classification

Rank

h_FE

4000 ~ 10000 8000 ~ 20000 16000 ~ 40000

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SD1198Q	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| NPN \| 25V V(BR)CEO \| 1A I(C) \| SC-71
2SD1198R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| NPN \| 25V V(BR)CEO \| 1A I(C) \| SC-71
2SD1198S	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| NPN \| 25V V(BR)CEO \| 1A I(C) \| SC-71
2SD1199	PANASONIC	获取价格	Silicon NPN epitaxial planer type(For low-frequency amplification)
2SD1199R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 40V V(BR)CEO \| 50MA I(C) \| SC-71
2SD1199S	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 40V V(BR)CEO \| 50MA I(C) \| SC-71
2SD1199T	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 40V V(BR)CEO \| 50MA I(C) \| SC-71
2SD1200	ROHM	获取价格	MEDIUM POWER TRANSISTOR
2SD1200F	ROHM	获取价格	MEDIUM POWER TRANSISTOR
2SD1200F/P	ROHM	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126,

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