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2SD1193

更新时间： 2024-01-21 18:38:12

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锦美电子 - JMNIC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	46K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2SD1193 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.37	其他特性：	BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 0.03
最大集电极电流 (IC)：	15 A	集电极-发射极最大电压：	60 V
配置：	DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR	最小直流电流增益 (hFE)：	2000
JEDEC-95代码：	TO-218	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
功耗环境最大值：	70 W	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	20 MHz
VCEsat-Max：	1.5 V	Base Number Matches：	1

2SD1193 数据手册

Product Specification

www.jmnic.com

Silicon NPN Power Transistors

2SD1193

DESCRIPTION

·With TO-3PN package

·Complement to type 2SB883

·High DC current gain

·High current capacity and wide ASO

·Low saturation voltage

APPLICATIONS

·Motor drivers, printer hammer drivers,

relay drivers,voltage regulator control.

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector;connected to

mounting base

Emitter

Fig.1 simplified outline (TO-3PN) and symbol

Absolute maximum ratings (Ta=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

CONDITIONS

Open emitter

MAX

UNIT

Open base

Open collector

Collector current (DC)

Collector current (Pulse)

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

I_CP

P_C

T_C=25℃

℃

T_j

150

-55~150

T_stg

JMnic

12 3

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