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2SD1189F/QR

更新时间: 2024-01-26 04:05:47
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罗姆 - ROHM /
页数 文件大小 规格书
1页 139K
描述
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-126FP, 3 PIN

2SD1189F/QR 技术参数

生命周期:Active包装说明:TO-126M, 3 PIN
Reach Compliance Code:compliant风险等级:5.77
最大集电极电流 (IC):2 A集电极-发射极最大电压:32 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):180
JEDEC-95代码:TO-126JESD-30 代码:R-PSFM-T3
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:NPN表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):100 MHzBase Number Matches:1

2SD1189F/QR 数据手册

  

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