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2SD1195

更新时间： 2024-02-26 18:27:37

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管开关局域网
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2页	226K
描述
Silicon NPN Darlington Power Transistor

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2SD1195 技术参数

生命周期：	Transferred	零件包装代码：	SFM
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.38	其他特性：	BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 0.03
最大集电极电流 (IC)：	5 A	集电极-发射极最大电压：	100 V
配置：	DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR	最小直流电流增益 (hFE)：	1500
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
功耗环境最大值：	35 W	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	20 MHz
VCEsat-Max：	1.5 V	Base Number Matches：	1

2SD1195 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor

2SD1195

DESCRIPTION

·Collector-Emitter Breakdown Voltage-

: V_(BR)CEO= 100V(Min)

·High DC Current Gain

: h_FE= 1500(Min) @I_C= 2.5A

·Low Saturation Voltage

·Complement to Type 2SB885

APPLICATIONS

·Designed for motor drivers, printer hammer drivers, relay

drivers, voltage regulator applications.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

VALUE

110

100

UNIT

Collector Current-Continuous

Collector Current-Peak

I_CP

Collector Power Dissipation

@ T_a=25℃

1.75

P_C

Collector Power Dissipation

@ T_C=25℃

T_J

Junction Temperature

150

-55~150

℃

Storage Temperature Range

T_stg

isc Website：www.iscsemi.cn

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