5秒后页面跳转
2SD1164-Z-T2 PDF预览

2SD1164-Z-T2

更新时间: 2024-11-11 21:15:59
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 87K
描述
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin, PLASTIC, MP-3, SC-63, 3 PIN

2SD1164-Z-T2 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:PLASTIC, MP-3, SC-63, 3 PIN
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.64
外壳连接:COLLECTOR最大集电极电流 (IC):2 A
集电极-发射极最大电压:60 V配置:DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE):2000JESD-30 代码:R-PSSO-G2
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:NPN功耗环境最大值:2 W
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:SINGLE
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
VCEsat-Max:1.5 VBase Number Matches:1

2SD1164-Z-T2 数据手册

 浏览型号2SD1164-Z-T2的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SD1164-Z-T2的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2SD1164-Z-T2的Datasheet PDF文件第4页 

与2SD1164-Z-T2相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SD1164-Z-T2K NEC

获取价格

Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 2
2SD1164-Z-T2L NEC

获取价格

Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 2
2SD1164-Z-T2M NEC

获取价格

Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 2
2SD1165A ETC

获取价格

TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 900V V(BR)CEO | 100A I(C) | DISC-6
2SD1166 ETC

获取价格

TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 900V V(BR)CEO | 200A I(C) | DISC-67
2SD1168 PANASONIC

获取价格

Transistor
2SD1168 Wing Shing

获取价格

NPN TRIPLE DIFFUSED PLANAR SILICON TRANSISTOR(COLOR TV HORIZONTAL OUTPUT APPLICATIONS)
2SD1168 SAVANTIC

获取价格

Silicon NPN Power Transistors
2SD1168 ISC

获取价格

Silicon NPN Power Transistors
2SD1168P ETC

获取价格

TRANSISTOR | BJT | NPN | 800V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-3