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2SD1165A

更新时间: 2024-01-12 16:44:21
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其他 - ETC 晶体晶体管开关
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3页 133K
描述
TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 900V V(BR)CEO | 100A I(C) | DISC-6

2SD1165A 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:DISK BUTTON, O-CEDB-N2
针数:4Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.84Is Samacsys:N
最大集电极电流 (IC):100 A集电极-发射极最大电压:900 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):60
JESD-30 代码:O-CEDB-N2元件数量:1
端子数量:2封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状:ROUND封装形式:DISK BUTTON
极性/信道类型:NPN认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子形式:NO LEAD
端子位置:END晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

2SD1165A 数据手册

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