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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.32 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 50 |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 2 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 60 V | 配置： | DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 2000 | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SD1164-Z-E1 | RENESAS |
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Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 |
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| 2SD1164-Z-E1 | NEC |
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Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 |
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| 2SD1164-Z-E1-AZ | RENESAS |
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Bipolar Power Transistors, MP-3Z, / |
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| 2SD1164-Z-E2 | NEC |
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Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 |
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| 2SD1164-ZK-AZ | RENESAS |
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暂无描述 |
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| 2SD1164-ZK-E1 | NEC |
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2000mA, 60V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, MP-3, 3 PIN |
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| 2SD1164-ZK-E1 | RENESAS |
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2000mA, 60V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, MP-3, 3 PIN |
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| 2SD1164-ZK-E1-AZ | RENESAS |
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TRANSISTOR,BJT,DARLINGTON,NPN,60V V(BR)CEO,2A I(C),TO-252 |
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| 2SD1164-ZK-E2-AZ | RENESAS |
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TRANSISTOR,BJT,DARLINGTON,NPN,60V V(BR)CEO,2A I(C),TO-252 |
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| 2SD1164-ZL-AZ | RENESAS |
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暂无描述 |
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