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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Not Recommended |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.84 | 最大集电极电流 (IC)： | 2 A |
| 配置： | DARLINGTON | 最小直流电流增益 (hFE)： | 2000 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 极性/信道类型： | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 2 W | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2SD1164M | ETC | BJT |
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| 2SD1164M-Z | ETC | TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 60V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-252VAR |
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| 2SD1164-Z | NEC | NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR MP-3 |
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| 2SD1164-Z | RENESAS | SILICON POWER TRANSISTOR |
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| 2SD1164-Z-E1 | RENESAS | Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 |
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| 2SD1164-Z-E1 | NEC | Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 |
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