5秒后页面跳转
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SD1164L | ETC |
获取价格 |
BJT |
|
| 2SD1164L-Z | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 60V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-252VAR |
|
| 2SD1164M | ETC |
获取价格 |
BJT |
|
| 2SD1164M-Z | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 60V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-252VAR |
|
| 2SD1164-Z | NEC |
获取价格 |
NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR MP-3 |
|
| 2SD1164-Z | RENESAS |
获取价格 |
SILICON POWER TRANSISTOR |
|
| 2SD1164-Z-E1 | RENESAS |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 |
|
| 2SD1164-Z-E1 | NEC |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 |
|
| 2SD1164-Z-E1-AZ | RENESAS |
获取价格 |
Bipolar Power Transistors, MP-3Z, / |
|
| 2SD1164-Z-E2 | NEC |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
数据手册
如果您发现信息不准确，
