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2SC5966

更新时间: 2024-11-02 22:36:47
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三洋 - SANYO 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 54K
描述
NPN SILICON TRANSISTOR

2SC5966 数据手册

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注文コーNo. N 7 6 5 3  
N 7653  
41504  
NPN 重拡散プレーナ形シリコントランジスタ  
2SC5966  
特長 ・高速度である。  
超高精細CRTィスプレイ水平偏向出力用  
・高耐圧である(V  
=1700V。  
CBO  
・高信頼性である(HVP ロセス採用。  
・M BIT ロセス採用。  
絶対最大定AbsoluteM axim um Ratings/Ta=25℃  
unit  
V
コレクタ・ベース電圧  
コレクタ・エミッタ電圧  
エミッタ・ベース電圧  
コレクタ電流  
V
V
V
1700  
CBO  
CEO  
EBO  
800  
V
5
V
I
C
20  
A
コレクタ電流(パルス)  
コレクタ損失  
I
40  
A
CP  
P
3.0  
100  
W
C
Tc=25℃  
W
接合部温度  
Tj  
150  
保存周囲温度  
Tstg  
55150  
電気的特ElectricalCharacteristics/Ta=25℃  
m in  
800  
typ  
m ax unit  
10 µA  
コレクタしゃ断電流  
コレクタしゃ断電流  
コレクタ・エミッタ降伏電圧  
エミッタしゃ断電流  
直流電流増幅率  
I
V
V
=800V,I =0  
E
CBO  
CB  
CE  
I
CES  
=1700V,R =0  
BE  
1.0 m A  
V
V
I =10m A,R =∞  
C BE  
(BR)CEO  
I
EBO  
V
=4V,I =0  
C
1.0 m A  
EB  
CE  
CE  
h
1
V
V
=5V,I =1A  
C
15  
4
FE  
FE  
h
2
=5V,I =15A  
C
7
次ページへ続く。  
外形図ꢀ2174A  
(unit:m m )  
5.6  
3.4  
16.0  
3.1  
本書記載の製品は、極めて高度の信頼性を  
要する用生命維持装置空機のコント  
ロールシステム等、多大な人的・物的損害  
を及ぼす恐れのある用途対応する仕様に  
2.8  
2.0  
2.1  
0.9  
0.7  
はなっておりません。そのような場合には、  
あらかじめ三洋電機販売窓口までご相談下  
さい。  
1
2
3
1:Base  
2:Collector  
3:Em itter  
5.45  
本書記載の規格値(大定格、動作条件範囲  
等)を瞬時たりとも越えて使用しの結果  
発生した機器の欠陥について、弊社は責任  
を負いません。  
5.45  
SANYO :TO-3PM LH  
〒370-0596 群馬県邑楽郡大泉町坂田一丁目1番1号  
41504KD TS IM TA-100799No.7653-1/3  

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