2SC5975

更新时间： 2024-11-04 07:31:15

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瑞萨 - RENESAS		振荡器晶体放大器小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管光电二极管
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SILICON NPN EPITAXIAL HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER / OSCILLATOR

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2SC5975 技术参数

生命周期：	Not Recommended	包装说明：	MFPAK-4
针数：	4	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.4
最大集电极电流 (IC)：	0.035 A	基于收集器的最大容量：	0.6 pF
集电极-发射极最大电压：	4 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	70	最高频带：	HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	R-PDSO-F4	元件数量：	1
端子数量：	4	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	0.2 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	20000 MHz	Base Number Matches：	1

2SC5975 数据手册

2SC5975

Silicon NPN Epitaxial

High Frequency Low Noise Amplifier / Oscillator

REJ03G0381-0100Z

Rev.1.00

Jul.06.2004

Features

•

High gain bandwidth product

f_T= 20 GHz typ.

•

High power gain and low noise figure;

PG = 17.5 dB typ. , NF = 1.15 dB typ. at f = 1.8 GHz

Outline

MFPAK-4

1. Emitter

2. Collector

3. Emitter

4. Base

WU-

Note: Marking is “WU-”.

Absolute Maximum Ratings

(Ta = 25°C)

Item

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Collector current

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Ratings

Unit

1.5

°C

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

Pc^*1

200

150

Tstg

–55 to +150

Note: 1. Value on PCB ( FR-4 : 40 x 40 x 1.6mm Double side )

Rev.1.00, Jul.06.2004, page 1 of 17

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