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2SC5976

更新时间： 2024-09-30 04:26:11

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东芝 - TOSHIBA		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	176K
描述
Transistor Silicon NPN Epitaxial Type

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2SC5976 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.59	最大集电极电流 (IC)：	3 A
集电极-发射极最大电压：	30 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	120	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	1 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON

2SC5976 数据手册

2SC5976

TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type

2SC5976

High-Speed Switching Applications

Unit: mm

DC-DC Converter Applications

Strobe Flash Applications

+0.2

2.8-0.3

+0.2

1.6-0.1

•

High DC current gain: h

= 250 to 400 (I = 0.3 A)

Low collector-emitter saturation voltage: V

= 0.14 V (max)

CE (sat)

High-speed switching: t = 25 ns (typ.)

Maximum Ratings

(Ta 25°C)

Characteristics

Collector-base voltage

Symbol

Rating

Unit

CBO

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

CEX

CEO

EBO

1.Base

2.Emitter

3.Collector

3.0

Collector current

Base current

JEDEC

―

5.0

Pulse

JEITA

―

0.3

TOSHIBA

2－3S1A

1.00

0.625

150

Collector power dissipation (t=10s)

Total collector power dissipation (DC)

Junction temperature

(Note.1)

°C

Storage temperature range

stg

−55 to 150

Note 1: Mounted on an FR4 board (glass epoxy, 1.6 mm thick, Cu area: 645 mm²)

2004-07-01

12 3 4 5

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