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2SC5993

更新时间： 2024-11-03 21:54:59
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 电视
页数 文件大小 规格书
3页 73K
描述
For power amplification For TV VM circuit

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2SC5993 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220AB包装说明：ROHS COMPLIANT, TO-220D-A1, FULL PACK-3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.75
风险等级：5.81外壳连接：ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：1.5 A集电极-发射极最大电压：180 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：60
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e6湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子面层：TIN BISMUTH
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：10晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：130 MHz
Base Number Matches：1

2SC5993 数据手册

 浏览型号2SC5993的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SC5993的Datasheet PDF文件第3页 
Power Transistors  
2SC5993  
Silicon NPN epitaxial planar type  
Unit: mm  
4.6 0.2  
For power amplification  
For TV VM circuit  
9.9 0.3  
2.9 0.2  
φ 3.2 0.1  
■ Features  
• Satisfactory linearity of forward current transfer ratio hFE  
• High transition frequency (fT)  
• Full-pack package which can be installed to the heat sink with one  
screw.  
1.4 0.2  
1.6 0.2  
2.6 0.1  
0.8 0.1  
0.55 0.15  
■ Absolute Maximum Ratings TC = 25°C  
2.54 0.30  
5.08 0.50  
Parameter  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
Collector-base voltage (Emitter open) VCBO  
Collector-emitter voltage (Base open) VCEO  
Emitter-base voltage (Collector open) VEBO  
180  
1
2
3
1: Base  
2: Collector  
3: Emitter  
180  
V
6
V
TO-220D-A1 Package  
Collector current  
IC  
ICP  
PC  
1.5  
A
Internal Connection  
Peak collector current  
Collector power dissipation  
3
20  
A
W
C
E
Ta = 25°C  
2.0  
B
Junction temperature  
Storage temperature  
Tj  
150  
°C  
°C  
Tstg  
−55 to +150  
■ Electrical Characteristics TC = 25°C 3°C  
Parameter  
Symbol  
VCEO  
ICBO  
Conditions  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
V
Collector-emitter voltage (Base open)  
Collector-base cutoff current (Emitter open)  
Emitter-base cutoff current (Collector open)  
Forward current transfer ratio *  
Collector-emitter saturation voltage  
Transition frequency  
IC = 10 mA, IB = 0  
180  
VCB = 180 V, IE = 0  
VEB = 6 V, IC = 0  
100  
100  
240  
0.5  
µA  
µA  
IEBO  
hFE  
VCE = 5 V, IC = 0.1 A  
60  
VCE(sat) IC = 1 A, IB = 0.1 A  
V
fT  
VCE = 10 V, IC = 0.2 A, f = 10 MHz  
130  
10  
MHz  
pF  
Collector output capacitance  
Cob  
VCB = 10 V, IE = 0, f = 1 MHz  
(Common base, input open circuited)  
Turn-on time  
Storage time  
Fall time  
ton  
tstg  
tf  
IC = 0.4 A, Resistance loaded  
IB1 = 0.04 A, IB2 = − 0.04 A  
VCC = 100 V  
0.1  
1.5  
0.1  
µs  
µs  
µs  
Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.  
2. : Rank classification  
*
Rank  
Q
P
hFE  
60 to 140  
120 to 240  
Publication date: July 2004  
SJD00320AED  
1
123

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