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2SC5998YC-TL-E

更新时间： 2024-11-04 13:04:19

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瑞萨 - RENESAS		放大器功率放大器
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2SC5998YC-TL-E

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2SC5998YC-TL-E 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SC-59A
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.8	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.5 A	基于收集器的最大容量：	1.5 pF
集电极-发射极最大电压：	5 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	110	最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e6
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	0.7 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN BISMUTH
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	20	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	10500 MHz
Base Number Matches：	1

2SC5998YC-TL-E 数据手册

2SC5998

Silicon NPN Epitaxial

High Frequency Medium Power Amplifier

REJ03G0169-0100Z

Rev.1.00

Apr.20.2004

Features

•

High Transition Frequency

f_T= 11 GHz typ.

•

High gain and Excellent Efficiency

Maximum Available Gain (MAG) = +22 dB typ. at V_CE= 3.6 V, I_C= 100 mA, f = 500 MHz

Power Added Efficiency (PAE) = 70% typ. at Pin=+16 dBm, f = 500 MHz

High Collector to Emitter Voltage

•

_CEO= 5 V

Ideal for up to 2GHz applications.

e.g FRS(Family Radio Service) Power Amplifier ,

GMRS (General Mobile Radio Service) Driver Amplifier

Outline

MPAK

1. Collector

2. Base

3. Emitter

Note: Marking is “YC-”.

Absolute Maximum Ratings

(Ta = 25°C)

Item

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Ratings

Unit

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Collector current

1.5

500

700^note

°C

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

150

Tstg

–55 to +150

Note: Value on PCB ( FR-4 : 25 x 30 x 1.0mm Double side )

Rev.1.00, Apr.20.2004, page 1 of 10

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