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2SC5886

更新时间： 2024-11-10 22:52:47
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东芝 - TOSHIBA 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 122K
描述
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type

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2SC5886 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Lifetime Buy包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.48外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：5 A集电极-发射极最大电压：50 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：200
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：20 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

2SC5886 数据手册

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2SC5886  
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type  
2SC5886  
High-Speed Swtching Applications  
DC-DC Converter Applications  
Unit: mm  
·
·
·
High DC current gain: h  
= 400 to 1000 (I = 0.5 A)  
C
FE  
Low collector-emitter saturation: V  
= 0.22 V (max)  
CE (sat)  
High-speed switching: t = 55 ns (typ.)  
f
Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
Collector-base voltage  
V
100  
CBO  
V
80  
CEX  
CEO  
EBO  
Collector-emitter voltage  
V
V
V
V
50  
Emitter-base voltage  
7
DC  
Collector current  
I
5
C
A
Pulse  
I
10  
CP  
JEDEC  
JEITA  
―
Base current  
I
0.5  
A
B
SC-64  
2-7J1A  
Ta = 25°C  
1
20  
Collector power  
Pc  
W
dissipation  
Tc = 25°C  
TOSHIBA  
Junction temperature  
T
150  
°C  
°C  
j
Weight: 0.36 g (typ.)  
Storage temperature range  
T
-55 to 150  
stg  
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Collector cut-off current  
Symbol  
Test Condition  
Min  
Typ.  
Max  
Unit  
I
V
V
= 100 V, I = 0  
¾
¾
¾
¾
100  
100  
¾
nA  
nA  
V
CBO  
CB  
EB  
E
Emitter cut-off current  
I
= 7 V, I = 0  
C
EBO  
(BR) CEO  
Collector-emitter brakedown voltage  
V
I
= 10 mA, I = 0  
50  
400  
200  
¾
¾
C
B
h
h
(1)  
(2)  
V
V
= 2 V, I = 0.5 A  
¾
1000  
¾
FE  
CE  
CE  
C
DC current gain  
= 2 V, I = 1.6 A  
¾
FE  
C
Collector-emitter saturation voltage  
Base-emitter saturation voltage  
Rise time  
V
I
I
= 1.6 A, I = 32 mA  
¾
0.22  
1.10  
¾
V
V
CE (sat)  
BE (sat)  
C
C
B
V
= 1.6 A, I = 32 mA  
¾
¾
B
t
¾
63  
560  
55  
r
See Figure 1 circuit diagram  
~
-
Switching time  
V
24 V, R = 15 W  
ns  
Storage time  
Fall time  
t
¾
¾
CC  
L
stg  
I
= 32 mA, I = -53 mA  
B1  
B2  
t
¾
¾
f
1
2002-08-21  
123456

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SC5886_06 TOSHIBA

获取价格

 		Silicon NPN Epitaxial Type High-Speed Swtching Applications
2SC5886A TOSHIBA

获取价格

 		High-Speed Switching Applications
2SC5886A(TE16L1,Q) TOSHIBA

获取价格

 		TRANSISTOR,BJT,NPN,50V V(BR)CEO,5A I(C),TO-252
2SC5886R SWST

获取价格

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 		Silicon NPN Epitaxial UHF / VHF wide band amplifier

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