2SC5896

更新时间： 2024-02-25 01:07:05

品牌	Logo	应用领域
松下 - PANASONIC		晶体晶体管功率双极晶体管开关局域网
页数	文件大小	规格书
2页	55K
描述
Silicon NPN epitaxial planar type

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2SC5896 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	TO-220D-A1, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.75	风险等级：	5.77
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	3 A
集电极-发射极最大电压：	60 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	30	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	100 MHz	Base Number Matches：	1

2SC5896 数据手册

Power Transistors

2SC5896

Silicon NPN epitaxial planar type

Unit: mm

4.6 0.2

Power supply for Audio & Visual equipments

such as TVs and VCRs

9.9 0.3

2.9 0.2

Industrial equipments such as DC-DC converters

φ 3.2 0.1

■ Features

• High-speed switching (t_stg: storage time/t_f: fall time is short)

• Low collector-emitter saturation voltage V_CE(sat)

• Superior forward current transfer ratio h_FElinearity

• TO-220D built-in: Excellent package with withstand voltage 5 kV

guaranteed

1.4 0.2

1.6 0.2

2.6 0.1

0.8 0.1

0.55 0.15

2.54 0.30

5.08 0.50

■ Absolute Maximum Ratings T_C= 25°C

1: Base

2: Collector

3: Emitter

Parameter

Symbol

Rating

Unit

Collector-base voltage (Emitter open) V_CBO

Collector-emitter voltage (Base open) V_CEO

Emitter-base voltage (Collector open) V_EBO

TO-220D-A1 Package

Marking Symbol: C5896

Internal Connection

Collector current

I_C

I_CP

P_C

Peak collector current

T_C= 25°C

T_a= 25°C

Collector power

dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_j

150

°C

T_stg

−55 to +150

■ Electrical Characteristics T_C= 25°C 3°C

Parameter

Symbol

V_CEO

I_CBO

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

Collector-emitter voltage (Base open)

Collector-base cutoff current (Emitter open)

Collector-emitter cutoff current (Base open)

Forward current transfer ratio

I_C= 10 mA, I_B= 0

V_CB= 60 V, I_E= 0

V_CE= 60 V, I_B= 0

V_CE= 4 V, I_C= 0.2 A

V_CE= 4 V, I_C= 1 A

V_CE= 4 V, I_C= 3 A

100

µA



I_CEO

h_FE1

h_FE2

250

0.6



h_FE3



Collector-emitter saturation voltage

Transition frequency

Turn-on time

V_CE(sat)I_C= 3 A, I_B= 0.375 A

f_T

t_on

t_stg

t_f

V_CE= 10 V, I_C= 0.1 A, f = 10 MHz

100

0.2

MHz

µs

I_C= 1 A, Resistance loaded

I_B1= 0.1 A, I_B2= − 0.1 A

V_CC= 50 V

Storage time

0.75

0.15

µs

Fall time

µs

Note) Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.

Publication date: November 2002

SJD00300AED

中文翻译

下载PDF

与2SC5896相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SC5899	SANYO	获取价格	Ultrahigh-Definition CRT Display Horizontal Deflection Output Applications
2SC5900	SANYO	获取价格	SILICON TRANSISTOR
2SC5902	PANASONIC	获取价格	Silicon NPN triple diffusion mesa type
2SC5904	PANASONIC	获取价格	Silicon NPN triple diffusion mesa type
2SC5905	PANASONIC	获取价格	Silicon NPN triple diffusion mesa type
2SC5906	TOSHIBA	获取价格	Silicon NPN Epitaxial Type High-Speed Switching Applications
2SC5906(TE85L,F)	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR,BJT,NPN,30V V(BR)CEO,4A I(C),SOT-23
2SC5907	ETC	获取价格
2SC5909	PANASONIC	获取价格	Silicon NPN triple diffusion mesa type
2SC5912	PANASONIC	获取价格	Silicon NPN triple diffusion mesa type

与2SC5896相关文章

MBRS340T3G手册解读：参数说明、产品特性及应用
2024-06-28

8
PMOS管背靠背连接：串联还是并联？
2024-06-28

7
高压电解电容的分类与选型策略
2024-06-28

8
数码管：基本概念、分类、技术发展及市场趋势
2024-06-27

14

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

2SC5896

2SC5896 技术参数

2SC5896 数据手册

与2SC5896相关器件

与2SC5896相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

2SC5896

2SC5896 技术参数

2SC5896 数据手册

与2SC5896相关器件

与2SC5896相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？