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2SC5902

更新时间： 2024-01-18 12:23:08
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松下 - PANASONIC /
页数 文件大小 规格书
3页 78K
描述
Silicon NPN triple diffusion mesa type

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2SC5902 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SC-94
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.81外壳连接：ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：9 A配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：5JESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：3 MHzBase Number Matches：1

2SC5902 数据手册

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Power Transistors  
2SC5902  
Silicon NPN triple diffusion mesa type  
Horizontal deflection output for TV  
Unit: mm  
15.5 0.5  
3.0 0.3  
5˚  
φ 3.2 0.1  
5˚  
■ Features  
• High breakdown voltage: VCBO ≥ 1700 V  
• Wide safe operation area  
• Built-in dumper diode  
5˚  
5˚  
5˚  
(4.0)  
2.0 0.2  
1.1 0.1  
■ Absolute Maximum Ratings TC = 25°C  
0.7 0.1  
Parameter  
Collector-base voltage (Emitter open) VCBO  
Collector-emitter voltage (E-B short) VCES  
Emitter-base voltage (Collector open) VEBO  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
5.45 0.3  
10.9 0.5  
1700  
1700  
V
5˚  
1
2
3
1: Base  
7
V
2: Collector  
3: Emitter  
EIAJ: SC-94  
Base current  
IB  
IC  
3
A
Collector current  
9
A
TOP-3E-A1 Package  
Peak collector current *  
Collector power dissipation  
ICP  
PC  
14  
A
Internal Connection  
40  
W
Ta = 25°C  
3
C
Junction temperature  
Storage temperature  
Tj  
150  
°C  
°C  
B
Tstg  
−55 to +150  
Note) : Non-repetitive peak collector current  
*
E
■ Electrical Characteristics TC = 25°C 3°C  
Parameter  
Symbol  
VEBO  
VF  
Conditions  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
V
Emitter-base voltage (Collector open)  
Forward voltage  
IE = 500 mA, IC = 0  
7
IF = 4.5 A  
−2  
50  
1
V
Collector-base cutoff current (Emitter open)  
ICBO  
VCB = 1000 V, IE = 0  
VCB = 1700 V, IE = 0  
VCE = 5 V, IC = 4.5 A  
µA  
mA  
Forward current transfer ratio  
Collector-emitter saturation voltage  
Base-emitter saturation voltage  
Transition frequency  
hFE  
5
10  
3
VCE(sat) IC = 4.5 A, IB = 1.13 A  
VBE(sat) IC = 4.5 A, IB = 1.13 A  
V
1.5  
V
fT  
tstg  
tf  
VCE = 10 V, IC = 0.1 A, f = 0.5 MHz  
3
MHz  
µs  
Storage time  
IC = 4.5 A, Resistance loaded  
IB1 = 1.13 A, IB2 = −2.25 A  
5.0  
0.5  
Fall time  
µs  
Note) Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.  
Publication date: March 2004  
SJD00304AED  
1
123

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