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2SC5905

更新时间： 2024-09-25 21:54:39
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC /
页数 文件大小 规格书
3页 94K
描述
Silicon NPN triple diffusion mesa type

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2SC5905 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SC-94
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.83外壳连接：ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：20 A集电极-发射极最大电压：600 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：5
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：3 MHz
Base Number Matches：1

2SC5905 数据手册

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Power Transistors  
2SC5905  
Silicon NPN triple diffusion mesa type  
Horizontal deflection output for TV, CRT monitor  
Unit: mm  
15.5 0.5  
3.0 0.3  
5˚  
φ 3.2 0.1  
5˚  
■ Features  
• High breakdown voltage: VCBO ≥ 1700 V  
• High-speed switching: tf < 200 ns  
• Wide safe operation area  
5˚  
5˚  
5˚  
(4.0)  
2.0 0.2  
■ Absolute Maximum Ratings TC = 25°C  
1.1 0.1  
0.7 0.1  
Parameter  
Collector-base voltage (Emitter open) VCBO  
Collector-emitter voltage (E-B short) VCES  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
5.45 0.3  
1700  
10.9 0.5  
1700  
V
5˚  
1
2
3
Collector-emitter voltage (Base open) VCEO  
Emitter-base voltage (Collector open) VEBO  
600  
V
1: Base  
2: Collector  
3: Emitter  
EIAJ: SC-94  
7
V
Base current  
IB  
IC  
8
A
TOP-3E-A1 Package  
Collector current  
20  
A
Peak collector current *  
Collector power dissipation  
ICP  
PC  
30  
70  
A
Internal Connection  
W
Ta = 25°C  
3.5  
C
B
Junction temperature  
Storage temperature  
Tj  
150  
°C  
°C  
Tstg  
−55 to +150  
E
Note) : Non-repetitive peak collector current  
*
■ Electrical Characteristics TC = 25°C 3°C  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Min  
Typ  
Max  
50  
1
Unit  
µA  
mA  
µA  
Collector-base cutoff current (Emitter open)  
ICBO  
VCB = 1000 V, IE = 0  
VCB = 1700 V, IE = 0  
VEB = 7 V, IC = 0  
Emitter-base cutoff current (Collector open)  
Forward current transfer ratio  
Collector-emitter saturation voltage  
Base-emitter saturation voltage  
Transition frequency  
IEBO  
hFE  
50  
12  
3
VCE = 5 V, IC = 10 A  
5
VCE(sat) IC = 10 A, IB = 2.5 A  
VBE(sat) IC = 10 A, IB = 2.5 A  
V
1.5  
V
fT  
tstg  
tf  
VCE = 10 V, IC = 0.1 A, f = 0.5 MHz  
3
MHz  
µs  
Storage time  
IC = 10 A, Resistance loaded  
IB1 = 2.5 A, IB2 = −5.0 A  
3.0  
0.2  
Fall time  
µs  
Note) Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.  
Publication date: June 2004  
SJD00306BED  
1
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SC5906 TOSHIBA

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 		Silicon NPN Epitaxial Type High-Speed Switching Applications
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2SC5907 ETC

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 		Silicon NPN triple diffusion mesa type
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