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2SC5915

更新时间： 2024-01-22 06:09:49
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三洋 - SANYO 晶体晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
4页 50K
描述
NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR

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2SC5915 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.75
风险等级：5.43最大集电极电流 (IC)：10 A
集电极-发射极最大电压：50 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：100JESD-30 代码：R-PSSO-G2
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：200 MHz
Base Number Matches：1

2SC5915 数据手册

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注文コードNo.N 7408  
N 7408  
No.  
13003  
新
NPN エピタキシァルプレーナ形シリコントランジスタ  
2SC5915  
用途 ・リレードライブ,ランプドライブ,モータドライブ,インバータ。  
大電流スイッチング用  
特長 ・M BIT プロセス採用。  
・電流容量が大きい。  
・コレクタ・エミッタ飽和電圧が低い。  
・スイッチングスピードが速い。  
・面実装に対応。  
絶対最大定格AbsoluteM axim um Ratings/Ta=25℃  
unit  
V
コレクタ・ベース電圧  
コレクタ・エミッタ電圧  
コレクタ・エミッタ電圧  
エミッタ・ベース電圧  
コレクタ電流  
V
V
V
V
120  
CBO  
CES  
CEO  
EBO  
120  
V
50  
V
6
V
I
C
10  
A
コレクタ電流(パルス)  
ベース電流  
I
15  
A
CP  
I
B
2
A
コレクタ損失  
P
1.65  
W
C
Tc=25℃  
25  
150  
W
接合部温度  
Tj  
℃
℃
保存周囲温度  
Tstg  
－55～＋150  
電気的特性ElectricalCharacteristics/Ta=25℃  
m in  
typ  
m ax unit  
コレクタしゃ断電流  
エミッタしゃ断電流  
直流電流増幅率  
I
V
V
V
V
=40V,I =0  
E
10  
10  
µA  
µA  
CBO  
CB  
EB  
CE  
CE  
I
EBO  
=4V,I =0  
C
h
h
1
2
=2V,I =1A  
C
200  
100  
560  
FE  
FE  
=2V,I =5A  
C
次ページへ続く。  
外形図ꢀ2069C  
(unit:m m )  
10.2  
4.5  
1.3  
本書記載の製品は、極めて高度の信頼性を  
要する用途（生命維持装置、航空機のコント  
ロールシステム等、多大な人的・物的損害  
を及ぼす恐れのある用途）に対応する仕様に  
はなっておりません。そのような場合には、  
あらかじめ三洋電機販売窓口までご相談下  
さい。  
1
0.8  
2
3
0～0.3  
0.4  
1.2  
2.55  
2.55  
1:Base  
2:Collector  
3:Em itter  
本書記載の規格値(最大定格、動作条件範囲  
等)を瞬時たりとも越えて使用し、その結果  
発生した機器の欠陥について、弊社は責任  
を負いません。  
2.55  
2.55  
SANYO :SM P-FD  
〒370-0596 群馬県邑楽郡大泉町坂田一丁目1番1号  
No.7408-1/4  
13003TS IM ◎佐藤TA-100348  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SC5916 ROHM

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 		暂无描述
2SC5916TLQ ROHM

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