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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> 2SC5939G
2SC5939G PDF预览

2SC5939G

更新时间： 2024-01-18 08:37:49
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC /
页数 文件大小 规格书
3页 81K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 10V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS COMPLIANT, SSMINI3-F2, 3 PIN

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2SC5939G 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.79最大集电极电流 (IC)：0.05 A
集电极-发射极最大电压：10 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：75JESD-30 代码：R-PDSO-F3
JESD-609代码：e6湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：Tin/Bismuth (Sn/Bi)
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：1900 MHz
Base Number Matches：1

2SC5939G 数据手册

 浏览型号2SC5939G的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SC5939G的Datasheet PDF文件第3页 
Transistors  
2SC5939  
Silicon NPN epitaxial planar type  
For high-frequency amplification/oscillation/mixing  
Unit: mm  
+0.05  
–0.02  
+0.05  
0.33  
0.10  
–0.02  
■ Features  
3
• High transition frequency fT  
• Small collector output capacitance (Common base, input open cir-  
cuited) Cob and reverse transfer capacitance (Common base) Crb  
• SSS-Mini type package, allowing downsizing of the equipment  
and automatic insertion through the tape packing  
+0.05  
1
2
0.23  
–0.02  
(0.40)(0.40)  
0.80 0.05  
1.20 0.05  
5˚  
■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25°C  
Parameter  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
Collector-base voltage (Emitter open) VCBO  
Collector-emitter voltage (Base open) VCEO  
Emitter-base voltage (Collector open) VEBO  
15  
10  
V
1: Base  
2: Emitter  
3: Collector  
3
50  
V
Collector current  
IC  
PC  
Tj  
mA  
mW  
°C  
°C  
SSSMini3-F1 Package  
Collector power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature  
100  
Marking Symbol: 1S  
125  
Tstg  
−55 to +125  
■ Electrical Characteristics Ta = 25°C 3°C  
Parameter  
Symbol  
VCEO  
VEBO  
ICBO  
Conditions  
Min  
10  
3
Typ  
Max  
Unit  
V
Collector-emitter voltage (Base open)  
Emitter-base voltage (Collector open)  
Collector-base cutoff current (Emitter open)  
Forward current transfer ratio  
hFE ratio  
IC = 2 mA, IB = 0  
IE = 10 µA, IC = 0  
V
VCB = 10 V, IE = 0  
1
µA  
hFE  
VCE = 4 V, IC = 5 mA  
VCE = 4 V, IC = 100 µA  
VCE = 4 V, IC = 5 mA  
75  
400  
1.6  
∆hFE  
0.75  
Collector-emitter saturation voltage  
Transition frequency  
VCE(sat) IC = 20 mA, IB = 4 mA  
0.5  
2.7  
V
GHz  
pF  
fT  
VCE = 4 V, IE = −5 mA, f = 200 MHz  
1.4  
1.9  
1.4  
Collector output capacitance  
Cob  
VCB = 4 V, IE = 0, f = 1 MHz  
(Common base, input open circuited)  
Reverse transfer capacitance  
(Common base)  
Crb  
VCB = 4 V, IE = 0, f = 1 MHz  
0.45  
pF  
Collector-base parameter  
rbb' • CC VCB = 4 V, IE = −5 mA, f = 31.9 MHz  
11  
ps  
Note) Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.  
Publication date: April 2004  
SJC00306AED  
1
123

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