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2SC5950

更新时间： 2024-11-03 20:08:23

品牌	Logo	应用领域
松下 - PANASONIC		放大器光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	306K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS COMPLIANT, SMINI3-G1, 3 PIN

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2SC5950 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.84
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	160
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e6
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Bismuth (Sn/Bi)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	100 MHz	Base Number Matches：	1

2SC5950 数据手册

Transistors

2SC5950

Silicon NPN epitaxial planar type

For general ampliﬁcation

Unit: mm

–0.05

Complementary to 2SA2122

+0.10

+0.1

–0.0

0.15

0.3

 Features



High forward current transfer ratio h_FE



Smini typ package, allowing downsizing of the equipment andꢀautomatic

insertion through the tape packing

(0.65) (0.65)

 Absolute Maximum Ratings T_a= 25

1.3±0.1

2.0±0.2

Parameter

Collector-base voltage (Emitter open)

Collector-emitter voltage (Base open)

Emitter-base voltage (Collector open)

Collector current

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Rating

Unit

10°

100

1: Base

2: Emitter

3: Collector

Peak collector current

I_CP

200

SMini3-G1 Package

Collector power dissipation

Junction temperature

P_C

150

Marking Symbol: 7M

T_j

150

Storage temperature

stg

−

55 to +150

 Electrical Characteristics T_a= 25

C±3

Parameter

Symbol

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

Collector-base voltage (Emitter open)

Collector-emitter voltage (Base open)

Emitter-base voltage (Collector open)

Collector-base cutoff current (Emitter open)

Collector-emitter cutoff current (Base open)

Forward current transfer ratio

V_CBOI_C= 10 µA, I_E= 0

V_CEOI_C= 2 mA, I_B= 0

V_EBOI_E= 10 µA, I_C= 0

I_CBO

I_CEO

h_FE

V_CB= 20 V, I_E= 0

V_CE= 10 V, I_B= 0

V_CE= 10 V, I_C= 2 mA

0.1

100

460

0.3

µA



160

Collector-emitter saturation voltage

Transition frequency

V_CE(sat)I_C= 100 mA, I_B= 10 mA

0.1

f_T

V_CB= 10 V, I_E

−

2 mA, f = 200 MHz

V_CB= 10 V, I_E= 0, f = 1 MHz

100

MHz

Collector output capacitance

C_ob

2.2

(Common base, input open circuited)

Note) Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.

Publication date: May 2005

SJC00333AED

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SC5950G	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS CO
2SC5951	SANYO	获取价格	Switching Regulator Applications
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2SC5954P	PANASONIC	获取价格	Silicon NPN triple diffusion planar type For power amplification with high forward current
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2SC5957	SANYO	获取价格	Switching Regulator Applications
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