2SC5954P

更新时间： 2024-02-14 19:54:49

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松下 - PANASONIC		晶体晶体管功率双极晶体管放大器局域网
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描述
Silicon NPN triple diffusion planar type For power amplification with high forward current transfer ratio

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2SC5954P 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.75	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	3 A	集电极-发射极最大电压：	60 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	500
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	200 MHz	Base Number Matches：	1

2SC5954P 数据手册

Power Transistors

2SC5954

Silicon NPN triple diffusion planar type

Unit: mm

4.6 0.2

For power amplification with high forward current transfer ratio

9.9 0.3

2.9 0.2

φ 3.2 0.1

■ Features

• High forward current transfer ratio h_FEwhich has satisfactory linearity.

• Low collector-emitter saturation voltage V_CE(sat)

• Full-pack package which can be installed to the heat sink with one

screw.

1.4 0.2

1.6 0.2

2.6 0.1

■ Absolute Maximum Ratings T_C= 25°C

0.8 0.1

0.55 0.15

Parameter

Symbol

Rating

Unit

2.54 0.30

5.08 0.50

Collector-base voltage (Emitter open) V_CBO

Collector-emitter voltage (Base open) V_CEO

Emitter-base voltage (Collector open) V_EBO

1: Base

2: Collector

3: Emitter

TO-220D-A1 Package

Collector current

I_C

I_CP

P_C

Peak collector current

Collector power dissipation

Internal Connection

T_a= 25°C

2.0

Junction temperature

Storage temperature

T_j

150

°C

T_stg

−55 to +150

■ Electrical Characteristics T_C= 25°C 3°C

Parameter

Symbol

V_CEO

I_CBO

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

Collector-emitter voltage (Base open)

Collector-base cutoff current (Emitter open)

Collector-emitter cutoff current (Base open)

Emitter-base cutoff current (Collector open)

Forward current transfer ratio

I_C= 10 mA, I_B= 0

V_CB= 80 V, I_E= 0

V_CE= 40 V, I_B= 0

V_EB= 6 V, I_C= 0

100

µA



I_CEO

I_EBO

100

h_FE1

V_CE= 4 V, I_C= 0.5 A

V_CE= 4 V, I_C= 3 A

500

100

2300

h_FE2

Collector-emitter saturation voltage

Transition frequency

Turn-on time

V_CE(sat)I_C= 1 A, I_B= 20 mA

0.6

MHz

µs

f_T

t_on

t_stg

t_f

V_CE= 10 V, I_C= 0.1 A, f = 10 MHz

200

0.2

1.5

0.1

I_C= 1 A, Resistance loaded

I_B1= 0.1 A, I_B2= − 0.1 A

V_CC= 50 V

Storage time

µs

Fall time

µs

Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.

2. : Rank classification

Rank

h_FE1

500 to 1500

1300 to 2300

Publication date: July 2004

SJD00319AED

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