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2SC5945TR

更新时间： 2024-11-03 14:47:19

品牌	Logo	应用领域
东芝 - TOSHIBA		放大器光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	89K
描述
TRANSISTOR UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-3J1C, SMQ, 4 PIN, BIP RF Small Signal

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2SC5945TR 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.22	其他特性：	LOW NOISE
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	0.04 A
基于收集器的最大容量：	1.1 pF	集电极-发射极最大电压：	5 V
配置：	SINGLE	最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	R-PDSO-G4	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	4
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	7000 MHz
Base Number Matches：	1

2SC5945TR 数据手册

MT4S04A

TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type

Preliminary

MT4S04A

VHF~UHF Band Low Noise Amplifier Applications

Unit: mm

•

Low noise figure: NF = 1.2dB (f = 1 GHz)

High gain: Gain = 13.5dB (f = 1 GHz)

Maximum Ratings

(Ta 25°C)

Characteristics

Symbol

Rating

Unit

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Base current

CBO

CEO

EBO

°C

Collector current

Collector power dissipation

Junction temperature

150

125

−55~125

Storage temperature range

stg

JEDEC

JEITA

―

Marking

TOSHIBA

2-3J1C

Weight: 0.012 g (typ.)

Microwave Characteristics

Characteristics

(Ta 25°C)

Symbol

Test Condition

Min

Typ.

Max

Unit

(1)

(2)

= 1 V, I = 5 mA

4.5

⎯

2.2

Transition frequency

GHz

= 3 V, I = 7 mA

⎪S ⎪²(1)

= 1 V, I = 5 mA, f = 1 GHz

21e

Insertion gain

Noise figure

⎪S ⎪²(2)

= 3 V, I = 20 mA, f = 1 GHz

11.5

⎯

13.5

1.3

1.2

21e

NF (1)

NF (2)

= 1 V, I = 5 mA, f = 1 GHz

= 3 V, I = 7 mA, f = 1 GHz

2003-08-08

12 3

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