2SC5935P

更新时间： 2024-11-03 00:00:47

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松下 - PANASONIC		晶体晶体管功率双极晶体管放大器局域网
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描述
Silicon NPN triple diffusion planar type

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2SC5935P 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-220AB	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.83	Is Samacsys：	N
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	2 A
集电极-发射极最大电压：	180 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	100	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	20 MHz
Base Number Matches：	1

2SC5935P 数据手册

Power Transistors

2SC5935

Silicon NPN triple diffusion planar type

For power amplification

Unit: mm

4.6 0.2

For TV vertical deflection output

9.9 0.3

2.9 0.2

■ Features

φ 3.2 0.1

• Satisfactory linearity of forward current transfer ratio h_FE

• Dielectric breakdown voltage of the package: 5 kV

• Full-pack package which can be installed to the heat sink with one

screw.

1.4 0.2

1.6 0.2

2.6 0.1

■ Absolute Maximum Ratings T_C= 25°C

0.8 0.1

0.55 0.15

Parameter

Symbol

Rating

Unit

Collector-base voltage (Emitter open) V_CBO

Collector-emitter voltage (Base open) V_CEO

Emitter-base voltage (Collector open) V_EBO

200

2.54 0.30

5.08 0.50

180

1: Base

2: Collector

3: Emitter

TO-220D-A1 Package

Collector current

Peak collector current

Collector power

I_C

I_CP

P_C

dissipation

T_a= 25°C

2.0

Junction temperature

Storage temperature

T_j

150

°C

T_stg

−55 to +150

■ Electrical Characteristics T_C= 25°C 3°C

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

V_BE

Conditions

Min

200

180

Typ

Max

Unit

Collector-base voltage (Emitter open)

Collector-emitter voltage (Base open)

Emitter-base voltage (Collector open)

Base-emitter voltage

I_C= 50 µA, I_E= 0

I_C= 5 mA, I_B= 0

I_E= 500 µA, I_C= 0

V_CE= 10 V, I_C= 400 mA

V_CB= 200 V, I_E= 0

V_EB= 4 V, I_C= 0

Collector-base cutoff current (Emitter open)

Emitter-base cutoff current (Collector open)

Forward current transfer ratio

I_CBO

µA



I_EBO

h_FE1

V_CE= 10 V, I_C= 150 mA

V_CE= 10 V, I_C= 400 mA

240

h_FE2

Collector-emitter saturation voltage

Transition frequency

V_CE(sat)I_C= 500 mA, I_B= 50 mA

f_TV_CE= 10 V, I_C= 0.5 A, f = 1 MHz

MHz

Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.

2. : Rank classification

Rank

h_FE1

60 to 140

100 to 240

Publication date: July 2004

SJD00318AED

12 3

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