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2SC5926P

更新时间： 2024-02-26 16:21:54

品牌	Logo	应用领域
松下 - PANASONIC		放大器晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	207K
描述
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, ROHS COMPLIANT, MT-4-A1, 3 PIN

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2SC5926P 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.84	最大集电极电流 (IC)：	3 A
集电极-发射极最大电压：	60 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	1300	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SC5926P 数据手册

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).

Power Transistors

2SC5926

Silicon NPN triple diffusion planar type

Unit: mm

For power amplification

10.0 0.2

5.0 0.1

1.0 0.2

■ Features

• High forward current transfer ratio h_FEwhich has satisfactory linearity.

• Low collector-emitter saturation voltage V_CE(sat)

• Allowing supply with the radial taping

1.2 0.1

C 1.0

1.48 0.2

2.25 0.2

0.65 0.1

0.35 0.1

■ Absolute Maximum Ratings T_C= 25°C

0.65 ^0.1

Parameter

Symbol

Rating

Unit

1.05 0.1

0.55 ^0.1

0.55 0.1

Collector-base voltage (Emitter open) V_CBO

Collector-emitter voltage (Base open) V_CEO

Emitter-base voltage (Collector open) V_EBO

2.5 0.2

2 3

1: Base

2: Collector

3: Emitter

MT-4-A1 Package

Collector current

I_C

I_CP

P_C

Peak collector current

Collector power dissipation

Internal Connection

T_a= 25°C

2.0

150

Junction temperature

Storage temperature

T_j

°C

T_stg

−55 to +150

Note) : Non-repetitive peak collector current

■ Electrical Characteristics T_C= 25°C 3°C

Parameter

Symbol

V_CEO

I_CBO

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

Collector-emitter voltage (Base open)

Collector-base cutoff current (Emitter open)

Collector-emitter cutoff current (Base open)

Emitter-base cutoff current (Collector open)

I_C= 10 mA, I_B= 0

V_CB= 80 V, I_E= 0

V_CE= 40 V, I_B= 0

V_EB= 6 V, I_C= 0

100

µA



I_CEO

I_EBO

100

Forward current transfer ratio ^*

h_FE1

h_FE2

V_CE= 4 V, I_C= 0.5 A

V_CE= 4 V, I_C= 3 A

500

100

2 300

Collector-emitter saturation voltage

Turn-on time

V_CE(sat)I_C= 1 A, I_B= 20 mA

0.7

t_on

t_stg

t_f

I_C= 1 A, Resistance loaded

I_B1= 0.1 A, I_B2= − 0.1 A

V_CC= 50 V

0.2

1.5

0.1

µs

Storage time

Fall time

Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.

2. 1: Pulse measurement

2: Rank classification

Rank

h_FE1

500 to 1500 1300 to 2300

Publication date: November 2004

SJD00326AED

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SC5926Q	PANASONIC	获取价格	Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3
2SC5930	TOSHIBA	获取价格	Silicon NPN Triple Diffused Type (PCT Process) High-Speed and High-Voltage Switching Appli
2SC5930(TPF2)	TOSHIBA	获取价格	2SC5930(TPF2)
2SC5930(TPF2,F)	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR,BJT,NPN,285V V(BR)CEO,1A I(C),SC-71VAR
2SC5930(TPF2,Q)	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR,BJT,NPN,285V V(BR)CEO,1A I(C),SC-71VAR
2SC5931	PANASONIC	获取价格	Silicon NPN triple diffusion mesa type
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