2SC5935

更新时间： 2024-11-03 00:00:47

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松下 - PANASONIC		晶体晶体管功率双极晶体管 ISM频段放大器局域网
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描述
Silicon NPN triple diffusion planar type

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2SC5935 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-220AB	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.84	Is Samacsys：	N
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	2 A
集电极-发射极最大电压：	180 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	50	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e6
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	TIN BISMUTH	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	20 MHz	Base Number Matches：	1

2SC5935 数据手册

Power Transistors

2SC5935

Silicon NPN triple diffusion planar type

For power amplification

Unit: mm

4.6 0.2

For TV vertical deflection output

9.9 0.3

2.9 0.2

■ Features

φ 3.2 0.1

• Satisfactory linearity of forward current transfer ratio h_FE

• Dielectric breakdown voltage of the package: 5 kV

• Full-pack package which can be installed to the heat sink with one

screw.

1.4 0.2

1.6 0.2

2.6 0.1

■ Absolute Maximum Ratings T_C= 25°C

0.8 0.1

0.55 0.15

Parameter

Symbol

Rating

Unit

Collector-base voltage (Emitter open) V_CBO

Collector-emitter voltage (Base open) V_CEO

Emitter-base voltage (Collector open) V_EBO

200

2.54 0.30

5.08 0.50

180

1: Base

2: Collector

3: Emitter

TO-220D-A1 Package

Collector current

Peak collector current

Collector power

I_C

I_CP

P_C

dissipation

T_a= 25°C

2.0

Junction temperature

Storage temperature

T_j

150

°C

T_stg

−55 to +150

■ Electrical Characteristics T_C= 25°C 3°C

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

V_BE

Conditions

Min

200

180

Typ

Max

Unit

Collector-base voltage (Emitter open)

Collector-emitter voltage (Base open)

Emitter-base voltage (Collector open)

Base-emitter voltage

I_C= 50 µA, I_E= 0

I_C= 5 mA, I_B= 0

I_E= 500 µA, I_C= 0

V_CE= 10 V, I_C= 400 mA

V_CB= 200 V, I_E= 0

V_EB= 4 V, I_C= 0

Collector-base cutoff current (Emitter open)

Emitter-base cutoff current (Collector open)

Forward current transfer ratio

I_CBO

µA



I_EBO

h_FE1

V_CE= 10 V, I_C= 150 mA

V_CE= 10 V, I_C= 400 mA

240

h_FE2

Collector-emitter saturation voltage

Transition frequency

V_CE(sat)I_C= 500 mA, I_B= 50 mA

f_TV_CE= 10 V, I_C= 0.5 A, f = 1 MHz

MHz

Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.

2. : Rank classification

Rank

h_FE1

60 to 140

100 to 240

Publication date: July 2004

SJD00318AED

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SC5935P	PANASONIC	获取价格	Silicon NPN triple diffusion planar type
2SC5935Q	PANASONIC	获取价格	Silicon NPN triple diffusion planar type
2SC5938	ISAHAYA	获取价格	FOR LOW FREQUENCY AMPLIFY APPLICATION SILICON NPN EPITAXIAL TYPE
2SC5938A	ISAHAYA	获取价格	FOR LOW FREQUENCY AMPLIFY APPLICATION SILICON NPN EPITAXIAL TYPE
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2SC5938AB	ISAHAYA	获取价格	Transistor
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