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2SC5909

更新时间： 2024-11-10 22:52:47

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松下 - PANASONIC		/
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3页	78K
描述
Silicon NPN triple diffusion mesa type

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2SC5909 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SC-94
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.82	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	15 A	集电极-发射极最大电压：	600 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	5
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	50 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	3 MHz	Base Number Matches：	1

2SC5909 数据手册

Power Transistors

2SC5909

Silicon NPN triple diffusion mesa type

For horizontal deflection output

Unit: mm

15.5 0.5

3.0 0.3

5˚

φ 3.2 0.1

5˚

■ Features

• High breakdown voltage: V_CBO≥ 1500 V

• High-speed switching: t_f< 200 ns

• Wide safe operation area

5˚

(4.0)

2.0 0.2

1.1 0.1

■ Absolute Maximum Ratings T_C= 25°C

0.7 0.1

Parameter

Collector-base voltage (Emitter open) V_CBO

Collector-emitter voltage (E-B short) V_CES

Symbol

Rating

Unit

5.45 0.3

10.9 0.5

1500

5˚

1: Base

Collector-emitter voltage (Base open) V_CEO

Emitter-base voltage (Collector open) V_EBO

600

2: Collector

3: Emitter

EIAJ: SC-94

Base current

I_B

I_C

TOP-3E-A1 Package

Collector current

Internal Connection

Peak collector current ^*

Collector power dissipation

I_CP

P_C

T_a= 25°C

Junction temperature

Storage temperature

T_j

150

°C

T_stg

−55 to +150

Note) : Non-repetitive peak collector current

■ Electrical Characteristics T_C= 25°C 3°C

Parameter

Symbol

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

µA



Collector-base cutoff current (Emitter open)

I_CBO

V_CB= 1000 V, I_E= 0

V_CB= 1500 V, I_E= 0

V_EB= 7 V, I_C= 0

Emitter-base cutoff current (Collector open)

Forward current transfer ratio

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter saturation voltage

Transition frequency

I_EBO

h_FE

V_CE= 5 V, I_C= 7.5 A

V_CE(sat)I_C= 7.5 A, I_B= 1.88 A

V_BE(sat)I_C= 7.5 A, I_B= 1.88 A

2.5

1.5

f_T

t_stg

t_f

V_CE= 10 V, I_C= 0.1 A, f = 0.5 MHz

MHz

µs

Storage time

I_C= 7.5 A, Resistance loaded

I_B1= 1.88 A, I_B2= −3.75 A

2.7

0.2

Fall time

µs

Note) Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.

Publication date: March 2004

SJD00307AED

12 3

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