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2SC5914

更新时间： 2024-02-07 02:08:06
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 局域网开关晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 87K
描述
Power Bipolar Transistor, 12A I(C), 600V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, ROHS COMPLIANT, SC-94, TOP-3E-A1, 3 PIN

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2SC5914 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：SC-94
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.82外壳连接：ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：12 A集电极-发射极最大电压：600 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：5
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：40 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：3 MHzBase Number Matches：1

2SC5914 数据手册

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Power Transistors  
2SC5914  
Silicon NPN triple diffusion mesa type  
Horizontal deflection output for TV, CRT monitor  
Unit: mm  
15.5 0.5  
3.0 0.3  
5˚  
φ 3.2 0.1  
5˚  
■ Features  
• High breakdown voltage: VCBO ≥ 1500 V  
• High-speed switching: tf < 200 ns  
• Wide safe operation area  
5˚  
5˚  
5˚  
(4.0)  
2.0 0.2  
■ Absolute Maximum Ratings TC = 25°C  
1.1 0.1  
0.7 0.1  
Parameter  
Collector-base voltage (Emitter open) VCBO  
Collector-emitter voltage (E-B short) VCES  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
1500  
5.45 0.3  
10.9 0.5  
1500  
V
5˚  
Collector-emitter voltage (Base open) VCEO  
Emitter-base voltage (Collector open) VEBO  
600  
V
1
2
3
1: Base  
7
V
2: Collector  
3: Emitter  
EIAJ: SC-94  
Base current  
IB  
IC  
5
A
Collector current  
12  
A
TOP-3E-A1 Package  
Peak collector current *  
Collector power dissipation  
ICP  
PC  
22  
A
Internal Connection  
40  
W
Ta = 25°C  
3
C
Junction temperature  
Storage temperature  
Tj  
150  
°C  
°C  
B
Tstg  
−55 to +150  
E
Note) : Non-repetitive peak collector current  
*
■ Electrical Characteristics TC = 25°C 3°C  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Min  
Typ  
Max  
50  
Unit  
µA  
mA  
µA  
Collector-base cutoff current (Emitter open)  
ICBO  
VCB = 1000 V, IE = 0  
VCB = 1500 V, IE = 0  
VEB = 7 V, IC = 0  
1
Emitter-base cut-off current (Collector open)  
Forward current transfer ratio  
Collector-emitter saturation voltage  
Base-emitter saturation voltage  
Transition frequency  
IEBO  
hFE  
50  
VCE = 5 V, IC = 6 A  
5
10  
VCE(sat) IC = 6 A, IB = 1.5 A  
VBE(sat) IC = 6 A, IB = 1.5 A  
2.5  
1.5  
V
V
fT  
tstg  
tf  
VCE = 10 V, IC = 0.1 A, f = 0.5 MHz  
3
MHz  
µs  
Storage time  
IC = 6 A, Resistance loaded  
IB1 = 1.5 A, IB2 = −3.0 A  
2.7  
0.2  
Fall time  
µs  
Note) Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.  
Publication date: June 2004  
SJD00310BED  
1
123

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