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2SC5900

更新时间： 2024-09-25 22:52:47
品牌 Logo 应用领域
三洋 - SANYO 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 55K
描述
SILICON TRANSISTOR

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2SC5900 技术参数

生命周期：Transferred零件包装代码：TO-3PMLH
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.57其他特性：HIGH RELIABILITY
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：8 A
集电极-发射极最大电压：800 V配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：4JESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：80 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON

2SC5900 数据手册

 浏览型号2SC5900的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SC5900的Datasheet PDF文件第3页 
注文コードNo. N 7 5 3 9  
N 7539  
No.  
31504  
新
NPN 三重拡散プレーナ形シリコントランジスタ  
2SC5900  
CRTディスプレイ水平偏向出力用  
特長 ・高速度である。  
・高耐圧である（V  
=1700V）。  
CBO  
・高信頼性である（HVP プロセス採用）。  
・M BIT プロセス採用。  
・ダンパーダイオード内蔵。  
絶対最大定格AbsoluteM axim um Ratings/Ta=25℃  
unit  
V
コレクタ・ベース電圧  
コレクタ・エミッタ電圧  
エミッタ・ベース電圧  
コレクタ電流  
V
V
V
1700  
CBO  
CEO  
EBO  
800  
V
5
V
I
C
8
A
コレクタ電流（パルス）  
コレクタ損失  
I
16  
A
CP  
P
3.0  
W
C
Tc=25℃  
80  
150  
W
接合部温度  
Tj  
℃
℃
保存周囲温度  
Tstg  
－55～＋150  
電気的特性ElectricalCharacteristics/Ta=25℃  
m in  
typ  
m ax unit  
10 µA  
コレクタしゃ断電流  
コレクタしゃ断電流  
コレクタ維持電圧  
エミッタしゃ断電流  
直流電流増幅率  
I
V
V
=800V,I =0  
E
CBO  
CB  
CE  
I
CES  
=1700V,R =0  
BE  
1.0 m A  
V
V
(sus) I =100m A,I =0  
B
800  
40  
10  
4
CEO  
C
I
EBO  
V
=4V,I =0  
C
130 m A  
EB  
CE  
CE  
h
1
V
V
=5V,I =1A  
C
FE  
FE  
h
2
=5V,I =4.5A  
C
7
次ページへ続く。  
外形図ꢀ2174A  
(unit:m m )  
5.6  
3.4  
16.0  
3.1  
本書記載の製品は、極めて高度の信頼性を  
要する用途（生命維持装置、航空機のコント  
ロールシステム等、多大な人的・物的損害  
を及ぼす恐れのある用途）に対応する仕様に  
2.8  
2.0  
2.1  
0.9  
0.7  
はなっておりません。そのような場合には、  
あらかじめ三洋電機販売窓口までご相談下  
さい。  
1
2
3
1:Base  
5.45  
本書記載の規格値(最大定格、動作条件範囲  
等)を瞬時たりとも越えて使用し、その結果  
発生した機器の欠陥について、弊社は責任  
を負いません。  
2:Collector  
3:Em itter  
5.45  
SANYO :TO-3PM LH  
〒370-0596 群馬県邑楽郡大泉町坂田一丁目1番1号  
31504KD TS IM ◎佐藤TA-100535No.7539-1/3  
123

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