生命周期: | Not Recommended | 包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 |
针数: | 4 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.21.00.75 |
风险等级: | 5.38 | Is Samacsys: | N |
最大集电极电流 (IC): | 0.012 A | 基于收集器的最大容量: | 0.4 pF |
集电极-发射极最大电压: | 4 V | 配置: | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE): | 70 | 最高频带: | L BAND |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G4 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 4 | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型: | NPN |
最大功率耗散 (Abs): | 0.05 W | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | Other Transistors | 表面贴装: | YES |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | DUAL |
晶体管应用: | AMPLIFIER | 晶体管元件材料: | SILICON |
标称过渡频率 (fT): | 20000 MHz | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
2SC5894WJ-TL-E | RENESAS |
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HF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, SC-82A, CMPAK-4 | |
2SC5895 | PANASONIC |
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Silicon NPN epitaxial planar type | |
2SC5895 | SAVANTIC |
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Silicon NPN Power Transistors | |
2SC5895 | ISC |
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Silicon NPN Power Transistors | |
2SC5895 | JMNIC |
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Silicon NPN Power Transistors | |
2SC5895_15 | JMNIC |
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Silicon NPN Power Transistors | |
2SC5895_2015 | JMNIC |
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Silicon NPN Power Transistors | |
2SC5896 | PANASONIC |
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Silicon NPN epitaxial planar type | |
2SC5899 | SANYO |
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Ultrahigh-Definition CRT Display Horizontal Deflection Output Applications | |
2SC5900 | SANYO |
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SILICON TRANSISTOR |