2SC5887

更新时间： 2024-09-26 06:17:07

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
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2页	219K
描述
Silicon NPN Power Transistor

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2SC5887 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Power Transistor

2SC5887

DESCRIPTION

·Collector-Emitter Breakdown Voltage-

: V_(BR)CEO= 50V(Min)

·High Speed Switching

·Low Saturation Voltage-

: V_CE(sat)= 0.4V(Max)@ (I_C= 7A; I_B= 0.35A)

·Complement to Type 2SA2098

APPLICATIONS

·Relay drivers, lamp drivers, motor drivers.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

VALUE

UNIT

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current-Continuous

Collector Current-Pulse

I_CM

I_B

Base Current-Continuous

Total Power Dissipation @T_C=25℃

Total Power Dissipation @T_a=25℃

Junction Temperature

P_T

2.0

150

-55~150

℃

T_J

Storage Temperature

T_stg

isc Website：www.iscsemi.cn

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