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2SC5884

更新时间： 2024-09-24 22:52:47

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松下 - PANASONIC		/
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3页	76K
描述
Silicon NPN triple diffusion mesa type

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2SC5884 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.84	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	4 A	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	5	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	3 MHz
Base Number Matches：	1

2SC5884 数据手册

Power Transistors

2SC5884

Silicon NPN triple diffusion mesa type

Horizontal deflection output for TV

Unit: mm

9.9 0.3

4.6 0.2

2.9 0.2

■ Features

• High breakdown voltage: V_CBO≥ 1500 V

• Wide safe operation area

• Built-in dumper diode

3.2 0.1

0.76 0.06

1.25 0.1

2.6 0.1

1.45 0.15

1.2 0.15

■ Absolute Maximum Ratings T_C= 25°C

0.7 0.1

0.75 0.1

2.54 0.2

Parameter

Collector-base voltage (Emitter open) V_CBO

Collector-emitter voltage (E-B short) V_CES

Emitter-base voltage (Collector open) V_EBO

Symbol

Rating

Unit

1500

5.08 0.4

1500

7°

1: Base

2: Collector

3: Emitter

Base current

I_B

I_C

Collector current

TO-220H Package

Peak collector current ^*

Collector power dissipation

I_CP

P_C

Marking Symbol: C5884

Internal Connection

T_a= 25°C

Junction temperature

Storage temperature

T_j

150

°C

T_stg

−55 to +150

Note) : Non-repetitive peak collector current

■ Electrical Characteristics T_C= 25°C 3°C

Parameter

Symbol

V_EBO

V_F

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

Emitter-base voltage (Collector open)

Forward voltage

I_E= 500 mA, I_C= 0

I_F= 2 A

−2

Collector-base cutoff current (Emitter open)

I_CBO

V_CB= 1000 V, I_E= 0

V_CB= 1500 V, I_E= 0

V_CE= 5 V, I_C= 2 A

µA



Forward current transfer ratio

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter saturation voltage

Transition frequency

h_FE

2.5

1.5

V_CE(sat)I_C= 2 A, I_B= 0.5 A

V_BE(sat)I_C= 2 A, I_B= 0.5 A

f_T

t_stg

t_f

V_CE= 10 V, I_C= 0.1 A, f = 0.5 MHz

MHz

µs

Storage time

I_C= 2 A, Resistance loaded

I_B1= 0.5 A, I_B2= −1.0 A

5.0

0.5

Fall time

µs

Note) Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.

Publication date: March 2004

SJD00311AED

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