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2SC5882

更新时间： 2024-02-06 02:54:47

品牌	Logo	应用领域
其他 - ETC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	114K
描述
SILICON NPN EPITAXIAL TRANSISTOR

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2SC5882 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.61
Is Samacsys：	N	Base Number Matches：	1

2SC5882 数据手册

〈トランジスタ〉

2SC5882

高周波増幅用

開発中（暫定）

シリコンNPNエピタキシァル形

本品種は開発中につき後日変更する場合があります。

概ꢀ要

2SC5882は超小形外形樹脂封止形シリコンNPNエピタキ

シァル形トランジスタで、独自の高周波プロセスを使用するこ

とにより、極めて高いｆT,低いＮＦを実現しています。

外ꢀ形ꢀ図

単位:mm

ꢀまた、超薄型(0.45mm)フラットリードタイプパッケージのた

め、セットの小型化、高密度実装が可能となります。

0.2

0.8

特ꢀ長

・超薄型(0.45mm)フラットリードタイプパッケージのため、

ꢀセットの小型化、高密度実装が可能。

・ｆTが高い。ｆT＝4.5GHz標準。

・低雑音,高利得。

・低電圧での動作が可能。

用ꢀ途

TVチューナー，通信機，携帯電話等

電極接続

最大定格 (Ta=25℃)

: ベ－ス

: エミッタ

: コレクタ

EIJA:

記ꢀ号

定格値

単位

項ꢀꢀꢀ目

VCBO

VCEO

VEBO

I C

コレクタ・ベ－ス間電圧

コレクタ・エミッタ間電圧

エミッタ・ベ－ス間電圧

コレクタ電流

℃

コレクタ損失

+125

接合部温度

Tstg

保存温度

-55～+125

電気的特性 (Ta=25℃)

特性値

標準

記ꢀ号

項ꢀꢀꢀ目

測ꢀ定ꢀ条ꢀ件

単位

最大

最小

μA

1.0

コレクタしゃ断電流

VCB=10V, I E=0mA

VEB=1V, IC=0mA

VCE=5V, I C=20mA

I CBO

I EBO

hFE

エミッタしゃ断電流

直流電流増幅率

利得帯域幅積

コレクタ出力容量

順方向伝達利得

雑音指数

250

GHz

4.5

1.0

VCE=5V, I E=20mA

Cob

VCB=5V, I E=0mA, f=1MHz

VCE=5V, I C=20mA, f=1GHz

VCE=5V, I C=5mA, f=1GHz

｜S21｜²

7.5

9.0

1.5

12 3 4 5

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