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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> 2SC5335S
2SC5335S PDF预览

2SC5335S

更新时间： 2024-10-30 13:00:03
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 晶体小信号双极晶体管放大器
页数 文件大小 规格书
2页 41K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, MT2, 3 PIN

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2SC5335S 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.92最大集电极电流 (IC)：0.7 A
集电极-发射极最大电压：50 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：600JESD-30 代码：R-PSIP-T3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：1 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：200 MHz
Base Number Matches：1

2SC5335S 数据手册

 浏览型号2SC5335S的Datasheet PDF文件第2页 
Transistor  
2SC5335(Tentative)  
Silicon NPN epitaxial planer type  
For low-frequency output amplification  
Unit: mm  
2.5±0.1  
1.05  
±0.05  
6.9±0.1  
4.0  
(1.45)  
0.8  
0.7  
Features  
High foward current transfer ratio hFE  
■
●
.
●
Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat)  
.
0.65 max.  
0.45+–00..015  
Absolute Maximum Ratings (Ta=25˚C)  
■
2.5±0.5 2.5±0.5  
Parameter  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
ICP  
Ratings  
Unit  
V
1
2
3
Collector to base voltage  
Collector to emitter voltage  
Emitter to base voltage  
Peak collector current  
Collector current  
60  
50  
V
15  
V
Note: In addition to the  
lead type shown in  
1:Emitter  
2:Collector  
1.5  
A
the upper figure, the 3:Base  
IC  
0.7  
A
type as shown in  
the lower figure is  
also available.  
MT2 Type Package  
*1  
Collector power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature  
PC  
1.0  
W
˚C  
˚C  
Tj  
150  
Tstg  
–55 ~ +150  
*1  
Printed circuit board: Copper foil area of 1cm2 or more, and the board  
thickness of 1.7mm for the collector portion  
1.2±0.1  
0.65  
max.  
+
0.1  
0.45–0.05  
(HW type)  
Electrical Characteristics (Ta=25˚C)  
■
Parameter  
Symbol  
ICBO  
Conditions  
VCB = 20V, IE = 0  
VCE = 20V, IB = 0  
C = 10µA, IE = 0  
min  
typ  
max  
Unit  
µA  
µA  
V
1
Collector cutoff current  
ICEO  
10  
Collector to base voltage  
Collector to emitter voltage  
Emitter to base voltage  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
I
60  
50  
IC = 1mA, IB = 0  
V
IE = 10µA, IC = 0  
15  
V
*1  
Forward current transfer ratio  
hFE  
V
CE = 10V, IC = 150mA  
400  
2000  
0.4  
Collector to emitter saturation voltage VCE(sat)  
IC = 500mA, IB = 50mA  
0.15  
200  
11  
V
MHz  
pF  
Transition frequency  
fT  
VCB = 10V, IE = –10mA, f = 200MHz  
VCB = 10V, IE = 0, f = 1MHz  
Collector output capacitance  
Cob  
15  
*1  
h
Rank classification  
FE  
Rank  
hFE  
R
S
T
400 ~ 800 600 ~ 1200 1000 ~ 2000  
1
12

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2SC5335S 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
2SC5335R PANASONIC

功能相似

 Small Signal Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, MT2, 3
NTE18 NTE

功能相似

 Silicon Complementary Transistors High Voltage, High Current Capacity Driver
2SC5335 PANASONIC

功能相似

 Silicon NPN epitaxial planer type(For low-frequency output amplification)

与2SC5335S相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SC5335T PANASONIC

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, MT2, 3
2SC5336 NEC

获取价格

 		NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR HIGH FREQUENCY LOW DISTORTION AMPLIFIER
2SC5336 RENESAS

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 		NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW DISTORTION AMPLIFIER
2SC5336(NE856M02) ETC

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 		Discrete
2SC5336-A NEC

获取价格

 		RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silic
2SC5336-A RENESAS

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 		RF & Microwave device
2SC5336RE ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 12V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-243
2SC5336-RE NEC

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 		RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silic
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 		RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silic
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