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2SC5336-T1RH

更新时间： 2024-10-30 14:46:23
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 49K
描述
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, POWER, MINIMOLD PACKAGE-4

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2SC5336-T1RH 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Transferred
包装说明：POWER, MINIMOLD PACKAGE-4Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.68外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：0.1 A基于收集器的最大容量：0.8 pF
集电极-发射极最大电压：12 V配置：SINGLE
最高频带：ULTRA HIGH FREQUENCY BANDJESD-30 代码：R-PSSO-F3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：TIN LEAD端子形式：FLAT
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：6500 MHzBase Number Matches：1

2SC5336-T1RH 数据手册

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DATA SHEET  
NPN SILICON RF TRANSISTOR  
2SC5336  
NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR  
HIGH-FREQUENCY LOW DISTORTION AMPLIFIER  
4-PIN POWER MINIMOLD  
FEATURES  
•
•
High gain:  
S
21e 2 = 12 dB TYP. @ VCE = 10 V, IC = 20 mA, f = 1 GHz  
4-pin power minimold package with improved gain from the 2SC3357  
ORDERING INFORMATION  
Part Number  
Quantity  
Supplying Form  
2SC5336  
25 pcs (Non reel)  
1 kpcs/reel  
• Magazine case  
2SC5336-T1  
• 12 mm wide embossed taping  
• Collector face the perforation side of the tape  
Remark To order evaluation samples, consult your NEC sales representative.  
Unit sample quantity is 25 pcs.  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = +25°C)  
Parameter  
Collector to Base Voltage  
Collector to Emitter Voltage  
Emitter to Base Voltage  
Collector Current  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
Ratings  
Unit  
V
20  
12  
V
3.0  
V
100  
mA  
W
P
tot Note  
1.2  
Total Power Dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
Tj  
150  
°C  
°C  
Tstg  
−65 to +150  
Note Mounted on 16 cm2 × 0.7 mm (t) ceramic substrate (Copper plating)  
Because this product uses high-frequency technology, avoid excessive static electricity, etc.  
The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please  
confirm that this is the latest version.  
Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for  
availability and additional information.  
Document No. P10938EJ2V0DS00 (2nd edition)  
Date Published August 2001 NS CP(K)  
The mark • shows major revised points.  
1996, 2001  
©
Printed in Japan  
12345678

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SC5336-T1RH-A NEC

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 		RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silic
2SC5337 NEC

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 		NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR HIGH FREQUENCY LOW DISTORTION AMPLIFIER
2SC5337 RENESAS

获取价格

 		NPN Silicon RF Transistor for High-Frequency
2SC5337(NE461M02) ETC

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 		Discrete
2SC5337-A RENESAS

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 		RF & Microwave device
2SC5337-AZ RENESAS

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 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 15V V(BR)CEO | 250MA I(C) | TO-243
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